[發(fā)明專(zhuān)利]功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210812168.7 | 申請(qǐng)日： | 2022-07-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115394894A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王群;龔逸品;陳張笑雄;王江波 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/38 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/38;H01L33/02;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 半導(dǎo)體器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括外延片(10)、陽(yáng)電極(20)和陰電極(30)；
所述外延片(10)包括襯底(110)和依次形成在所述襯底(110)上的緩沖層(120)、U-GaN層(130)、AlGaN層(140)、GaN帽層(150)和SiN保護(hù)層(160)；
所述陽(yáng)電極(20)和所述陰電極(30)相互間隔，所述陽(yáng)電極(20)的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層(160)和所述GaN帽層(150)并插接在所述AlGaN層(140)內(nèi)，所述陽(yáng)電極(20)朝向所述陰電極(30)的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層(140)傾斜；
所述陰電極(30)的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層(160)和所述GaN帽層(150)并插接在所述AlGaN層(140)內(nèi)，所述陰電極(30)朝向所述陽(yáng)電極(20)的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層(140)傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述陽(yáng)電極(20)的第一端至第二端的方向上，所述陽(yáng)電極(20)朝向所述陰電極(30)的一側(cè)，朝向所述陰電極(30)傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述陰電極(30)的第二端至第一端的方向上，所述陰電極(30)朝向所述陽(yáng)電極(20)的一側(cè)，背離所述陽(yáng)電極(20)傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述陽(yáng)電極(20)朝向所述陰電極(30)的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層(140)傾斜5°-50°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述陰電極(30)朝向所述陽(yáng)電極(20)的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層(140)傾斜5°-50°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述陽(yáng)電極(20)的第一端與所述AlGaN層(140)朝向所述GaN帽層(150)的一側(cè)的間距為1nm-15nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述陰電極(30)的第一端與所述AlGaN層(140)朝向所述GaN帽層(150)的一側(cè)的間距為1nm-15nm。
8.一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底(110)；
在所述襯底(110)上依次外延生長(zhǎng)緩沖層(120)、U-GaN層(130)、AlGaN層(140)、GaN帽層(150)和SiN保護(hù)層(160)；
提供一陽(yáng)電極(20)，所述陽(yáng)電極(20)的一側(cè)為斜面，將所述陽(yáng)電極(20)的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層(160)和所述GaN帽層(150)并插接在所述AlGaN層(140)內(nèi)；
提供一陰電極(30)，所述陰電極(30)的一側(cè)為斜面，將所述陰電極(30)的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層(160)和所述GaN帽層(150)并插接在所述AlGaN層(140)內(nèi)，且所述陰電極(30)的斜面與所述陽(yáng)電極(20)的斜面相對(duì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述AlGaN層(140)和所述GaN帽層(150)周期性交替層疊生長(zhǎng)，所述AlGaN層(140)和所述GaN帽層(150)的交替周期數(shù)為1-6。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在生長(zhǎng)所述GaN帽層(150)和所述SiN保護(hù)層(160)之前，表面純氮?dú)夥諊幚?-15min。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
