[發(fā)明專利]一種數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210808261.0
• 申請(qǐng)日: 2022-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN115202076A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張婕;聶天曉;楊晴;田祺云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)杭州創(chuàng)新研究院
• 主分類號(hào): G02F1/00
• 分類號(hào): G02F1/00;H01Q15/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 趙興華

1.一種數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，包括：發(fā)射裝置和調(diào)控系統(tǒng)；所述發(fā)射裝置與所述調(diào)控系統(tǒng)一體化連接；

所述發(fā)射裝置包括圖案化陣列，所述圖案化陣列包括若干個(gè)編碼單元；所述發(fā)射裝置用于發(fā)射太赫茲波，所述編碼單元包括異質(zhì)結(jié)；

所述異質(zhì)結(jié)包括第一異質(zhì)結(jié)或第二異質(zhì)結(jié)；所述第一異質(zhì)結(jié)從下往上依次由鐵磁層和非鐵磁層組合而成；所述第二異質(zhì)結(jié)從下往上依次由非鐵磁層、鐵磁層和非鐵磁層組成；所述鐵磁層包括二維鐵磁材料和鐵磁金屬，所述非鐵磁層包括拓?fù)浣^緣體、拓?fù)浒虢饘俸椭亟饘伲?/p>

所述調(diào)控系統(tǒng)用于通過控制所述若干個(gè)編碼單元上電流的大小和/或控制所述若干個(gè)編碼單元上的電流極性的改變來(lái)調(diào)控太赫茲波。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，所述二維鐵磁材料包括：Fe_xGeTe₂、CrTe₂中的一種；

所述鐵磁金屬包括：Co、Fe和Ni中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，所述拓?fù)浣^緣體包括：Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Bi_xSb_1-x、Sb₂Te₃和(Bi_xSb_1-x)₂Te₃中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，所述拓?fù)浒虢饘侔ǎ篧Te₂、WSe₂、PtSe₂、PtTe₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，所述重金屬包括：W、Ta和Pt中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件，其特征在于，所述調(diào)控系統(tǒng)包括金屬電極和FPGA；所述金屬電極與FPGA電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的數(shù)字可編程的陣列化自旋太赫茲源器件的太赫茲波的調(diào)控方法，其特征在于，包括：

控制產(chǎn)生照射于所述發(fā)射裝置上的激光；

控制產(chǎn)生各所述編碼單元對(duì)應(yīng)的電流；所述電流用于輸入其所對(duì)應(yīng)的編碼單元；

通過控制所述電流的大小和/或控制各所述編碼單元上的電流極性的改變來(lái)調(diào)控太赫茲波。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)控方法，其特征在于，所述控制產(chǎn)生照射于所述發(fā)射裝置上的激光，包括：控制激光發(fā)射器產(chǎn)生照射于所述發(fā)射裝置上的激光。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)控方法，其特征在于，所述激光為飛秒激光。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)控方法，其特征在于，所述通過控制所述電流的大小和/或控制各所述編碼單元上的電流極性的改變來(lái)調(diào)控太赫茲波，具體包括：

通過改變輸入到各所述編碼單元上的電流的大小和/或改變編碼單元上的電流極性來(lái)調(diào)控太赫茲波的相位、幅值和波形。