[發明專利]一種可用于低溫固態互連技術的表面態納米氧化銀的制備方法有效
| 申請號： | 202210806826.1 | 申請日： | 2022-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN115354273B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 霍永雋;谷松昭;王泰宇;方葉星;趙修臣 | 申請（專利權）人： | 北京理工大學 |
| 主分類號： | C23C8/36 | 分類號： | C23C8/36;C23C14/58;C25D5/48;C23C14/14;C23C14/30;C23C14/35;C25D3/46;C22F1/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 劉璞 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 低溫 固態 互連 技術 表面 納米 氧化銀 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，包括：制備表面態納米氧化銀，而后將所述表面態納米氧化銀與銀表面或另一表面態納米氧化銀接觸，向接觸的界面施加1~1.38MPa的壓力，然后在真空環境以及160~230℃下退火；
所述表面態納米氧化銀為Ag2O；
所述表面態納米氧化銀的制備方法包括：
采用微波富氧等離子體處理銀表面，制得表面態納米氧化銀；
所述微波富氧等離子體由氧氣與惰性氣體通過輝光放電形成；
所述輝光放電的起輝功率為40~60W；采用微波富氧等離子體處理銀表面的時間為3s~120s；所述表面態納米氧化銀的顆粒尺寸為20~60nm。
2.根據權利要求1所述的實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，所述微波富氧等離子體由氧氣與氬氣通過輝光放電形成。
3.根據權利要求2所述的實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，所述表面態納米氧化銀的顆粒尺寸為25~30nm。
4.根據權利要求1所述的實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，通過電子束蒸發、磁控濺射沉積或電沉積制備所述銀表面。
5.根據權利要求1所述的實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，所述退火的溫度為200℃~220℃。
6.根據權利要求5所述的實現銀-銀固態互連的方法，其特征在于，所述退火的升溫速率為5~20℃/分鐘。
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