[發明專利]一種采用無摻雜發射極的太陽電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202210806708.0
• 申請日: 2022-07-08
• 公開（公告）號: CN115295665A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 高平奇;蔡倫;徐楊兵;龐毅聰;陳甜;梁宗存;洪瑞江
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 范偉民

1.一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述太陽電池以p型單晶硅片為襯底，采用低溫工藝制備無需摻雜且寬帶隙的化合物薄膜作為發射極，并將所述發射極置于電池的背面。

2.根據權利要求1所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述無需摻雜且寬帶隙的化合物薄膜為硫化鎘薄膜，所述硫化鎘薄膜的厚度為2-30nm。

3.根據權利要求2所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述硫化鎘薄膜在制備完成后，還置于空氣中150-450℃退火30s～30min形成一層鈍化膜。

4.根據權利要求2所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述硫化鎘薄膜的制備方法包括磁控濺射法或化學水浴法或熱蒸發法。

5.根據權利要求1所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述發射極表面設置有低功函數復合電極。

6.根據權利要求5所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述低功函數復合電極為金屬鹵化物/Al復合電極，所述金屬鹵化物包括氟化鋰、氟化鐿、碘化銫或氯化鈉。

7.根據權利要求6所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述金屬鹵化物的厚度為0.5-10nm，所述Al電極的厚度為300nm以上。

8.根據權利要求1所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，制備發射極前，先在電池背面制備界面鈍化膜，所述界面鈍化膜的厚度為1.5-6nm。

9.根據權利要求1所述的一種采用無摻雜發射極制備太陽電池的方法，其特征在于，所述電池的正面可以是無柵線結構，也可以是空穴傳輸層結構。

10.采用權利要求1-9任一項所述的方法制備得到的太陽電池。