[發明專利]襯底支撐結構和制造襯底支撐結構的方法

在審

• 申請號: 202210802566.0
• 申請日: 2022-07-07
• 公開（公告）號: CN115595562A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: J.A.桑蒂蘭;S.庫塔思;H.高
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;B22F3/02;B22F3/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種用于半導體處理系統的襯底支撐結構，包括：

由陶瓷復合材料形成的襯底支撐結構主體，該主體具有：

第一表面；

與第一表面間隔開的第二表面；

跨越襯底支撐結構主體的第一表面和第二表面的外圍，其中襯底支撐結構主體的第一表面、第二表面和外圍由陶瓷復合材料限定；并且

其中，陶瓷復合材料包括選自以下的兩種或更多種成分：(a)氮化鋁(AlN)成分，(b)氧氮化鋁(Al_2.81O_3.56N_0.44,AlON)成分，(c)α-氧化鋁(α-Al₂O₃)成分，(d)釔鋁石榴石(Y₃Al₅O₁₂,YAG)成分，(e)釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分，(f)釔鋁鈣鈦礦(YAlO₃,YAP)成分，以及(g)氧化釔(Y₂O₃)成分。

2.根據權利要求1所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料基本由氮化鋁(AlN)成分和氧化釔(Y₂O₃)成分構成。

3.根據權利要求2所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括比氧化釔(Y₂O₃)成分更多的氮化鋁(AlN)成分。

4.根據權利要求2所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括約35％至約65％的氮化鋁(AlN)成分。

5.根據權利要求1所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料基本由氮化鋁(AlN)成分、釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分和氧化釔(Y₂O₃)成分構成。

6.根據權利要求5所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括比釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分更多的氮化鋁(AlN)成分。

7.根據權利要求5所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括約25％至約40％的氮化鋁(AlN)成分、約20％至約30％的釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分以及約30％至約55％的氧化釔(Y₂O₃)成分。

8.根據權利要求1所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料基本由氮化鋁(AlN)成分、釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分和釔鋁鈣鈦礦(YAlO₃,YAP)成分構成。

9.根據權利要求8所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括比氮化鋁(AlN)成分更多的釔鋁鈣鈦礦(YAlO₃,YAP)成分。

10.根據權利要求8所述的襯底支撐結構，其中，所述陶瓷復合材料包括約15％至約30％的氮化鋁(AlN)成分、約15％至約45％的釔鋁單斜晶(Y₄Al₂O₉,YAM)成分以及約30％至約70％的釔鋁鈣鈦礦(YAlO₃,YAP)成分。