[發(fā)明專利]用于折射率傳感的金銀復(fù)合納米顆粒薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210801528.3
• 申請日: 2022-07-07
• 公開（公告）號: CN115181949B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊芳;許郅博;方悅寧;丁雨雙;惠前輝;朱圣清
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇理工學(xué)院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;B22F1/054;B22F1/142;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 李靜

1.一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，所述金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的制備方法，包括如下步驟：

S1、基底清洗：將透明基底（1）清洗，烘干，待用；

S2、沉積銀納米薄膜：通過磁控濺射，在所述透明基底（1）上制備一層厚度均勻的銀納米薄膜（2）；

S3、制備銀納米顆粒：對制備的銀納米薄膜（2）進(jìn)行退火處理，使之形成銀納米顆粒（21）；

S4、金納米薄膜的制備：通過磁控濺射，在所述銀納米顆粒（21）上覆蓋一層金納米薄膜（3），完成金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的制備；

所述的金銀復(fù)合納米顆粒薄膜在折射率傳感方面的應(yīng)用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S1、基底清洗：將所述透明基底（1）依次用洗滌劑、丙酮、乙醇進(jìn)行清洗，以不掛水痕、表面無雜質(zhì)為標(biāo)準(zhǔn)，然后烘干，待用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S1中所述的透明基底（1）選自透明玻璃、透明石英或其他透明耐熱無機(jī)非金屬材料的中一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S2、沉積銀納米薄膜：通過磁控濺射，在所述透明基底（1）上制備一層厚度均勻的銀納米薄膜（2）；其中：磁控濺射工藝條件為：濺射電流為15-25mA，在氬氣氣氛下電離濺射，濺射時間為40-60秒；所述銀納米薄膜（2）的厚度為6-10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S3、制備銀納米顆粒：利用熱退火技術(shù)，在真空或惰性氣體環(huán)境下，對所制備的銀納米薄膜（2）進(jìn)行退火處理，使銀納米薄膜（2）形成銀納米顆粒（21）；其中：退火溫度為300-450℃，退火時間為30-120分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S3中所述的銀納米顆粒（21）的粒徑為10-80nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的用途，其特征在于，步驟S4、金納米薄膜的制備：通過磁控濺射，在所述銀納米顆粒（21）上覆蓋一層金納米薄膜（3），即完成金銀復(fù)合納米顆粒薄膜的制備；其中：在該步驟中磁控濺射工藝條件為：濺射電流為10-20mA，在氬氣氣氛下電離濺射，濺射時間為15-30秒；所述金納米薄膜（3）的厚度為1-3nm。