[發明專利]一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓穩定性的工藝方法在審
| 申請號： | 202210798473.5 | 申請日： | 2022-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN115125618A | 公開（公告）日： | 2022-09-30 |
| 發明（設計）人： | 侯松巖 | 申請（專利權）人： | 侯松巖 |
| 主分類號： | C30B29/30 | 分類號： | C30B29/30;C30B33/00;C30B33/02;C30B33/04;B24B1/00;B24B37/00;G02F1/03 |
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| 地址： | 044300*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 鈮酸鋰 薄膜 穩定性 工藝 方法 | ||
1.本發明提出一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，該方法通過離子注入，光刻膠旋涂、晶圓鍵合和熱退火等工藝來實現，所述方法包括晶片、襯底和光刻膠，其特征在于，包括：
在所述晶片上進行離子注入；
在所述晶片上旋涂光刻膠，形成一層薄膜；
在所述襯底上旋涂光刻膠，形成一層薄膜；
將所述旋涂有光刻膠的晶片和襯底進行晶圓鍵合；
通過熱退火加熱至第一退火溫度，使得所述鈮酸鋰薄膜與鈮酸鋰單晶分離；
通過熱退火加熱至第二退火溫度，所述第二退火溫度大于第一退火溫度，同時在退火過程中持續通入氣體；
采用化學機械拋光工藝來得到最終鈮酸鋰薄膜晶圓。
2.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：在對晶片離子注入之前，所述工藝還包括：
對所述晶片進行化學機械拋光處理。
3.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：光刻膠為氫倍半硅氧烷聚合物，并且旋涂在晶圓拋光面，光刻膠厚度為500納米至1500納米。
4.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：襯底為單晶硅。
5.如權利要求4所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：硅晶圓至少一面經過拋光處理。
6.如權利要求5所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：所述光刻膠為氫倍半硅氧烷聚合物，并且旋涂在硅晶圓的拋光面，光刻膠厚度為500納米至1500納米。
7.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：將晶片的光刻膠面和襯底晶圓的光刻膠面進行鍵合。
8.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：所述第一退火溫度為200℃至350℃。
9.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：所述第二退火溫度為1000℃至1300℃。
10.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：所述氣體為高純度氧氣。
11.如權利要求1所述的一種改善鈮酸鋰薄膜晶圓高溫穩定性的工藝方法，其特征在于：進行化學機械拋光處理后，所述制備方法還包括：晶圓清潔處理。
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