[發明專利]存儲器及其操作方法、存儲器系統

在審

• 申請號: 202210794684.1
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115171761A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 周文明;魏華征
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/30;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;吳素花

本申請實施例提供一種存儲器及其操作方法、存儲器系統，其中，所述存儲器的操作方法，包括：接收到第一指令；所述第一指令指示對存儲器的選擇字線耦接的存儲單元進行編程操作；在所述選擇字線上施加第一編程初始電壓；所述第一編程初始電壓是根據所述存儲器的當前擦寫循環次數，隨著擦寫循環次數的增加，逐漸降低或者階梯式降低所述第一編程初始電壓。本申請各實施例中，根據存儲器的當前擦寫循環次數確定的第一編程初始電壓，也就是說在不同的產品生命周期中施加不同的編程初始電壓，在不同的產品生命周期中匹配最合適的編程初始電壓，使得整個產品生命周期中的整體編程效率得以提高。

技術領域

本申請實施例涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其操作方法、存儲器系統。

背景技術

存儲器是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。作為一種典型的非易失性半導體存儲器，NAND(Not-And，與非型)閃存器由于具有較高的存儲密度、可控的生產成本、合適的編擦速度及保持特性，已經成為存儲市場中的主流產品。

存儲器生命周期，或者稱為產品生命周期可以分為產品生命初期、產品生命中期、產品生命末期，具體地，產品生命初期可以理解為存儲器的擦寫循環次數接近0次，產品生命中期可以理解為存儲器的擦寫循環次數在理論擦寫循環次數一半的附近，產品生命末期可以理解為存儲器的擦寫循環次數已接近理論擦寫循環的總次數。

隨著對存儲器要求的不斷提高，如何提高生命初期時的讀取窗口同時降低產品生命末期時的過編程問題成為本領域現階段亟需解決的技術問題之一。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供一種存儲器及其操作方法、存儲器系統。

根據本申請實施例的第一方面，提供一種存儲器的操作方法，包括：

接收到第一指令；所述第一指令指示對存儲器的選擇字線耦接的存儲單元進行編程操作；

在所述選擇字線上施加第一編程初始電壓；所述第一編程初始電壓是根據所述存儲器的當前擦寫循環次數及確定的，隨著擦寫循環次數的增加，逐漸降低或者階梯式降低所述第一編程初始電壓。

上述方案中，所述方法還包括：

獲取所述存儲器的當前擦寫循環次數；

根據所述存儲器的當前擦寫循環次數在零至預設擦寫循環次數內所處的區間，確定所述第一編程初始電壓；所述存儲器的當前擦寫循環次數所處的區間的平均值越大，所述第一編程初始電壓越小。

上述方案中，將零至預設擦寫循環次數依次分為N個區間；所述在所述選擇字線上施加第一編程初始電壓，包括：

在當前擦寫循環次數處于第1區間時，在所述選擇字線上施加的第一編程初始電壓為V1；

在當前擦寫循環次數處于第i區間時，在所述選擇字線上施加的第一編程初始電壓為V1-a*(i-1)；

其中，所述N、i為正整數，且N＞1，N≥i＞1；所述V1、a、V1-a*(i-1)均為正數。

上述方案中，根據所述存儲器的當前擦寫循環次數在零至預設擦寫循環次數內所處的區間，確定所述第一編程初始電壓，包括：

根據所述存儲器的當前擦寫循環次數在零至預設擦寫循環次數內所處的區間，結合第一映射表，確定所述第一編程初始電壓；其中，所述第一映射表包括所述零至預設擦寫循環次數內各擦寫循環次數所屬的區間與編程初始電壓之間的關系。

上述方案中，所述方法還包括：

確定所述第一映射表。

上述方案中，所述確定所述第一映射表，包括：

在當前擦寫循環次數小于第一預設次時，在選擇字線上施加第二編程初始電壓，記錄存儲單元對應的初始閾值電壓分布；