[發(fā)明專利]基于氧化層厚薄均勻的半導體器件制造裝置

在審

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• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115206842A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 徐根基
• 申請（專利權）人: 徐根基
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供了基于氧化層厚薄均勻的半導體器件制造裝置，涉及半導體制造技術領域，包括：氧化管箱；所述氧化管箱的后端側壁上固定安裝有控制盒，控制盒中內(nèi)置有控制器；所述控制盒下方的氧化管箱上固定安裝有橫向的電動氣缸；所述氧化管箱內(nèi)腔中橫向滑動安裝有托框。本發(fā)明的各實施例的始終處于高溫高壓的環(huán)境中進行氧化，確保氧化效果，而一旦壓力不足時，加熱板則停止加熱報警，可以及時發(fā)現(xiàn)進行補壓，以便于半導體表面氧化成二氧化硅的穩(wěn)定性和高效性，高壓保證了附著效果，高溫提供了穩(wěn)定的氧化溫度，以便于達到最大的氧化率，解決了溫度和壓力的變動以及氧氣含量的多少均會致使氧化層出現(xiàn)厚薄不均勻的問題。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，特別涉及基于氧化層厚薄均勻的半導體器件制造裝置。

背景技術

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。

在半導體的制造過程中，為保證絕緣效果，需要在表面形成一層二氧化硅氧化層，而二氧化硅氧化層在形成的過程中，需要高溫高壓，而溫度和壓力的變動以及氧氣含量的多少均會致使氧化層出現(xiàn)厚薄不均勻的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供基于氧化層厚薄均勻的半導體器件制造裝置，其具有壓力擋柱和擠壓開關的配合，使得半導體器件在加工的過程中始終能夠處于穩(wěn)定的高溫高壓狀態(tài)，以便于保證氧化效果。

本發(fā)明提供了基于氧化層厚薄均勻的半導體器件制造裝置，具體包括：氧化管箱；所述氧化管箱的后端側壁上固定安裝有控制盒，控制盒中內(nèi)置有控制器；所述控制盒下方的氧化管箱上固定安裝有橫向的電動氣缸；所述氧化管箱內(nèi)腔中橫向滑動安裝有托框；所述托框上方和下方的氧化管箱內(nèi)腔的上下側壁中分別橫向安裝有齒板；

所述氧化管箱內(nèi)腔的前端側壁中上下對稱安裝有橫向的引導軌；所述氧化管箱內(nèi)腔的前端側壁和后端側壁上分別安裝有加熱板；所述氧化管箱上端靠右處豎向密封滑動安裝有壓力擋柱；所述托框的前端靠右處豎向安裝有從動旋轉機構；所述從動旋轉機構左側的托框上縱向安裝有兩個上下對稱的送風機構；上下兩個所述送風機構的前端之間安裝有隨動機構。

進一步的，所述氧化管箱的前端側壁右側設有高壓密封門；所述氧化管箱的上端安裝有進氧管和溢氣管，進氧管和溢氣管均安裝有控制閥；所述壓力擋柱上方的氧化管箱上固定安裝有擠壓開關，擠壓開關與加熱板電性相連接；所述氧化管箱內(nèi)腔頂部側壁和底部側壁齒板前側的位置處均開設有橫向的導向槽。

進一步的，所述電動氣缸上包括有推桿，所述電動氣缸的活塞桿部分為L狀的推桿，所述托框上包括有導向桿，所述托框的左右兩端中部分別垂直固定安裝有導向桿，導向桿分別垂直滑動穿過氧化管箱的左右兩端側板，右端的導向桿的末端與推桿的右端縱板垂直固定相連接，所述引導軌為低凹不平的波浪狀結構。

進一步的，所述壓力擋柱的下端為喇叭狀結構，壓力擋柱的上端與擠壓開關相接觸時，加熱板開始加熱，所述從動旋轉機構包括有從動桿、齒輪盤和氧化籃，所述從動桿的上端和下端分別通過軸塊安裝在托框的前端側壁中部靠右處；所述從動桿的上端和下端分別滑動置于導向槽中，且從動桿上下兩端與齒板相對應的位置處均固定安裝有齒輪盤，齒輪盤與齒板前端的齒槽相嚙合；所述從動桿的中部固定安裝有氧化籃，氧化籃的開口向上。

進一步的，所述送風機構包括有斜齒輪、花鍵軸和送風扇輪，所述斜齒輪轉動安裝在托框的前端側壁上，斜齒輪與從動桿螺旋槽相嚙合；所述斜齒輪的中部縱向滑動穿過安裝有花鍵軸；所述花鍵軸的后端固定安裝有送風扇輪。

進一步的，所述隨動機構包括有隨動座板、輥輪、緩沖桿和緩沖彈簧，所述隨動座板的后端側壁上下兩端分別與兩個花鍵軸的前端轉動相連接；所述隨動座板的前端側壁上下兩端分別豎向轉動安裝有輥輪，兩個輥輪分別與兩個引導軌相切；所述隨動座板的左端垂直向后固定安裝有緩沖桿，緩沖桿滑動穿過托框；所述托框前側的緩沖桿上套裝有緩沖彈簧。