[發明專利]一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑

在審

• 申請號: 202210789074.2
• 申請日: 2022-07-06
• 公開（公告）號: CN115074790A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 鄧麒俊
• 申請（專利權）人: 江門市優彼思化學技術有限公司
• 主分類號: C25D3/46
• 分類號: C25D3/46;C25D7/12
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 姚啟政

本發明涉及電鍍銀添加劑領域，具體公開了一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑，包括以下質量份數的組分：溶劑95.47?95.95份；含硒化合物0.9?1.08份；含碲化合物0.25?0.35份；含鉍化合物2.9?3.1份；含硒化合物為硫化硒、亞硒酸銨的復配；含碲化合物為碲酸銨、亞碲酸鉀的復配；含鉍化合物為鈦酸鉍、檸檬酸鉍銨的復配；半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑在高速鍍銀溶液中的用量為5?10g/L。本發明具有提高銀鍍層的可焊性的優點。

技術領域

本發明涉及電鍍銀添加劑領域，尤其是涉及一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑。

背景技術

高速鍍銀是電子電鍍行業的工藝之一，尤其在半導體引線框架局部鍍銀方面被廣泛應用。

引線框架作為基座，用于固定和支撐芯片，并提供焊件的引線和導腳，通過對引線框架局部鍍銀，能更好地保證引線框架與芯片、金屬絲的可焊性及元件的電性能。

鍍銀是通過電解的原理，在金屬或塑料表面沉積一層薄的銀金屬的過程，高速鍍銀主要是通過采用專業設備，在很高的陰極電流密度下進行高速沉積，獲得高質量鍍層的過程，其中所用的高速鍍銀溶液體系，將直接影響鍍層的質量，現有的高速鍍銀溶液雖然能成功實現電鍍，但是得到的銀鍍層的可焊性一般，因此，還有改善空間。

發明內容

為了提高銀鍍層的可焊性，本申請提供一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑。

本申請提供的一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑采用如下的技術方案：

一種半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑，包括以下質量份數的組分：

溶劑95.47-95.95份；

含硒化合物0.9-1.08份；

含碲化合物0.25-0.35份；

含鉍化合物2.9-3.1份；

所述含硒化合物為硫化硒、亞硒酸銨的復配；

所述含碲化合物為碲酸銨、亞碲酸鉀的復配；

所述含鉍化合物為鈦酸鉍、檸檬酸鉍銨的復配；

所述半導體引線框架高速鍍銀用光亮劑在高速鍍銀溶液中的用量為5-10g/L。

通過采用上述技術方案，通過采用硫化硒、亞硒酸銨、碲酸銨、亞碲酸鉀、鈦酸鉍、檸檬酸鉍銨復配，在鍍銀溶液中硒、碲、鉍的含量較高的條件下，能促進粒子結晶細化，使得銀沉積層適用在芯片焊接載體層，提高了鍍銀層的可焊性。

且由于硫化硒、亞硒酸銨、碲酸銨、亞碲酸鉀、鈦酸鉍、檸檬酸鉍銨復配，使得硒、碲、鉍的含量較高的情況下，不會對銀鍍層帶來負面影響，既能提高銀鍍層的可焊性，又能保持銀鍍層的質量。

經研究發現，采用普通的硒化合物時，當鍍銀溶液中硒濃度高于10mg/L時，鍍層光亮范圍會變窄，而且鍍銀溶液會出現不穩定，容易變黃；采用普通的碲化合物時，當鍍銀溶液中碲濃度高于3mg/L時，鍍層光亮范圍會變窄；采用普通的鉍化合物時，當鍍銀溶液中鉍濃度高于30mg/L時，陽極上容易產生黑色物質，使陽極受到影響。

通過具體選擇硫化硒、亞硒酸銨、碲酸銨、亞碲酸鉀、鈦酸鉍、檸檬酸鉍銨復配，能有效解決上述問題，提高了鍍層的可焊性的同時，使得鍍層光亮范圍較大，且陽極上不易產生黑色物質，保持陽極質量較佳。

優選的，所述硫化硒、亞硒酸銨的質量比例為2：1。

通過采用上述技術方案，通過具體選擇硫化硒、亞硒酸銨的配比，使得鍍銀溶液中硒濃度較高時，更不易影響鍍層光亮范圍，且鍍銀溶液更為穩定，不易變黃。

優選的，所述碲酸銨、亞碲酸鉀的質量比例為1：1。