[發明專利]一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法

在審

• 申請號: 202210787397.8
• 申請日: 2022-07-04
• 公開（公告）號: CN114910520A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 楊世芳;陳天羽
• 申請（專利權）人: 華北電力大學（保定）
• 主分類號: G01N27/06
• 分類號: G01N27/06;G01N33/44;C12N1/14;C12R1/645
• 代理公司: 北京和聯順知識產權代理有限公司 11621
• 代理人: 毛森鑫

本發明公開了一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法，包括以下步驟：通過沙氏葡萄糖液體培養基，培養斜面白腐真菌10天后，獲取真菌懸浮液；基于陰暗的富氧環境，將真菌懸浮液，均勻涂覆在硅橡膠表面，培養14天；采集涂覆在硅橡膠表面的真菌懸浮液的電導率，以及被真菌侵染的硅橡膠表面的憎水角、鹽密、灰密；獲取電導率分別與憎水角的第一關系、鹽密的第二關系、灰密的第三關系，根據第一關系、第二關系、第三關系，評價真菌對于硅橡膠的憎水性能的影響；本方法可操作性、可重復性強，不僅適用于實驗室覆真菌硅橡膠材料的批量生產，還可間接模擬實際工況現場絕緣子表面真菌的附著情況。

技術領域

本發明涉及高電壓與絕緣技術，具體而言，涉及一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法。

背景技術

近年來由于硅橡膠材料突出的憎水性能，在高電壓外絕緣領域發揮著十分重要的作用。高壓輸電線路中，用采用硅橡膠材料作為涂料制作成的復合絕緣子十分常見，懸掛在導線上，以保證高電位的導線和地電位的桿塔之間可靠絕緣。

該材料的表面表現出明顯的憎水性，可顯著提高高壓絕緣的可靠性。但是由于生態環境的變化，在我國四川、云南、廣西、湖南等南方高溫潮濕地區，復合絕緣子和絕緣支柱RTV涂料表面出現真菌附著的現象。現場測試發現，真菌的生長會破壞復合材料表面的憎水性，降低其絕緣可靠性，對電網的安全運行帶來不穩定因素。

在國內外僅對真菌相關問題的研究比較少，對于如何將真菌接種至硅橡膠的探究比較少。

另外，對于研究絕緣材料表面憎水性問題的方法主要有兩種：HC分級法和靜態接觸角法。在實驗室中多用靜態接觸角法，對硅橡膠絕緣子的憎水性能進行一個客觀、準確地定量分析絕。鹽密全稱為等值附鹽密度(ESDD)，指外絕緣設備上單位表面積的等值鹽密。測量方法：使用一定量的蒸餾水對一定面積絕緣子表面的污穢全部洗掉，用儀器進行污穢溶液電導率的測量，再通過公式換算轉化為等值鹽密。灰密全程非溶性沉積物密度(ESDD)，是指外絕緣設備上單位表面積的等值灰密。對于絕緣子表面污穢大小程度主要體現在灰密，因此，急需一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法，用于通過測量被真菌五然后的絕緣子表面的灰密，客觀評價硅橡膠被真菌污染后的憎水性變化的問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的目的是提供一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法，用于表征不同濃度的真菌對硅橡膠絕緣子電氣性能的影響。

為了實現上述技術目的，本申請提供了一種用于斜面白腐真菌對于硅橡膠染污程度的表征方法，包括以下步驟：

通過沙氏葡萄糖液體培養基，培養斜面白腐真菌10天后，獲取真菌懸浮液；

基于陰暗的富氧環境，將真菌懸浮液，均勻涂覆在硅橡膠表面，培養14天；

采集涂覆在硅橡膠表面的真菌懸浮液的電導率，以及被真菌侵染的硅橡膠表面的憎水角、鹽密、灰密；

獲取電導率分別與憎水角的第一關系、鹽密的第二關系、灰密的第三關系，根據第一關系、第二關系、第三關系，評價真菌對于硅橡膠的憎水性能的影響。

優選地，在培養斜面白腐真菌的過程前，將胰酪胨、蛋白胨和葡萄糖按一定配方制備成培養基粉末，在溫度為25℃下，取30g溶解于1L純水中，最終控制pH在5.6±0.2，獲得液體培養基，并在115℃條件下滅菌20min并冷卻至室溫。

優選地，在培養斜面白腐真菌的過程中，真菌凍存管開啟前，采用75％酒精棉擦拭凍存管表面進行消毒；

用滅菌接種環將斜面白腐真菌接種至液體培養基后，培養液在25±1℃、濕度≥80％及24h光照的培養箱中培養10天。

優選地，在獲取真菌懸浮液的過程中，采用抽濾的方式將真菌培養液中的真菌與液體培養基進行分離，并通過滅菌純水，制備成真菌懸浮液，其中，通過纖維濾紙過濾菌絲。