[發明專利]一種半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 202210785556.0
• 申請日: 2022-07-06
• 公開（公告）號: CN114843176B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 陶磊;周成;程摯;蔡明洋;王厚有
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/266;H01L21/324
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 吳向青

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上形成多個零位對準標記，且所述零位對準標記位于切割道上；

在所述襯底上形成圖案化光阻層，所述圖案化光阻層覆蓋所述零位對準標記和部分所述襯底；

以所述圖案化光阻層為掩膜，對所述襯底植入離子，形成摻雜區；

在所述襯底上沉積隔離層，且所述隔離層覆蓋所述摻雜區；

對所述摻雜區進行高溫退火；以及

在對所述摻雜區進行高溫退火后，移除所述隔離層，在所述襯底上形成外延層，且所述外延層覆蓋所述零位對準標記；

其中，在所述襯底上沉積隔離層的方法為：使用正硅酸乙酯分解形成隔離層，且所述隔離層的厚度為1000埃~4000埃。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：在所述襯底上形成墊氧化層，且所述墊氧化層的厚度為80埃~500埃。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述隔離層的步驟包括：

將帶有所述墊氧化層的所述襯底放置在反應腔內；

預設反應腔的溫度和壓力；以及

向反應腔內通入正硅酸乙酯和含氧氣體，所述正硅酸乙酯和所述含氧氣體反應生成二氧化硅，并沉積在所述墊氧化層表面。

4.根據權利要求3所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述含氧氣體為氧氣或臭氧。

5.根據權利要求3所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，向所述反應腔內通入正硅酸乙酯和含氧氣體時，同時向所述反應腔內通入氮氣。

6.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述摻雜區包括第一類型摻雜區和第二類型摻雜區，且所述半導體結構的制造方法包括以下步驟：

在所述零位對準標記和部分所述墊氧化層上形成第一光阻層；

以所述第一光阻層為掩膜，向所述襯底中植入第一類型離子，形成第一類型摻雜區；

在所述墊氧化層上形成第一隔離層，并對第一類型摻雜區進行高溫退火；

在所述零位對準標記和部分所述墊氧化層上形成第二光阻層；

以所述第二光阻層為掩膜，向襯底中植入第二類型離子，形成第二類型摻雜區；以及

在所述墊氧化層上形成第二隔離層，并對所述第二類型摻雜區進行高溫退火。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，對所述摻雜區進行高溫退火時，高溫退火的溫度為1000℃~1250℃，高溫退火的時間為80min~200min。