[發明專利]陶瓷電子組件

在審

• 申請號: 202210784801.6
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN116525296A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 鄭漢勝;安佳英
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 曹志博;趙曉旋

1.一種陶瓷電子組件，包括：

主體，包括介電層和內電極；以及

外電極，設置在所述主體上并且連接到所述內電極，

其中，所述介電層包括多個介電晶粒，所述介電層的每1μm的單位厚度的介電晶粒的平均數量為8或更大，并且td為0.5μm或更小，td是所述介電層中的至少一個介電層的平均厚度。

2.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，0.15μmtd。

3.根據權利要求2所述的陶瓷電子組件，其中，所述主體包括在第一方向上交替設置的所述介電層和所述內電極，并且所述主體具有在所述第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面，

所述外電極分別設置在所述第三表面和所述第四表面上，并且

所述陶瓷電子組件在所述第二方向上的最大尺寸為1.76mm或更小，并且所述陶瓷電子組件在所述第三方向上的最大尺寸為0.88mm或更小。

4.根據權利要求3所述的陶瓷電子組件，其中，td/te≤1.0，te是所述內電極中的至少一個內電極的平均厚度。

5.根據權利要求4所述的陶瓷電子組件，其中，te為0.6μm或更小。

6.根據權利要求5所述的陶瓷電子組件，其中，每單位體積電容為100μF/mm³或更大。

7.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，所述介電晶粒的平均粒徑為125nm或更小。

8.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，td/te≤1.0，te是所述內電極中的至少一個內電極的平均厚度。

9.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，在所述多個介電晶粒的粒徑的累積分布中，2≤D99/D50≤3且2≤D50/D1≤3，其中，D1是累積分布百分數為1％時對應粒徑的值，D50是累積分布百分數為50％時對應粒徑的值，并且D99是累積分布百分數為99％時對應粒徑的值。

10.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，所述介電層使用多個介電粉末形成，并且所述多個介電粉末的平均粒徑為100nm或更小。

11.根據權利要求10所述的陶瓷電子組件，其中，在所述介電粉末的粒徑的累積分布中，2D90a/D50a3且2D50a/D10a3，其中，D10a是累積分布百分數為10％時對應粒徑的值，D50a是累積分布百分數為50％時對應粒徑的值，并且D90a是累積分布百分數為90％時對應粒徑的值。

12.根據權利要求1所述的陶瓷電子組件，其中，所述主體包括在第一方向上交替設置的所述介電層和所述內電極，并且所述主體具有在所述第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面，

所述外電極分別設置在所述第三表面和所述第四表面上，并且

所述陶瓷電子組件在所述第二方向上的最大尺寸大于等于0.9mm且小于等于1.76mm，并且所述陶瓷電子組件在所述第三方向上的最大尺寸大于等于0.45mm且小于等于0.88mm。

13.根據權利要求12所述的陶瓷電子組件，其中，所述內電極與所述第五表面間隔開的區域在所述第三方向上的平均尺寸和所述內電極與所述第六表面間隔開的區域在所述第三方向上的平均尺寸中的每個尺寸為15μm或更小。