[發(fā)明專利]一種PECVD設備石墨舟清洗系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210783572.6 | 申請日: | 2022-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN115354298A | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐電;張威;楊彬;許爍爍;陳臻陽;李健志;黃嘉斌;成秋云 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/509;B08B7/00 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 廖元寶 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pecvd 設備 石墨 清洗 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種PECVD設備石墨舟清洗系統(tǒng),包括真空腔室、放電單元和氣體導入單元,所述氣體導入單元與真空腔室相連通,用于向所述真空腔室內(nèi)充入工藝氣體,所述放電單元安裝于所述真空腔室上,用于對工藝氣體進行電離來產(chǎn)生等離子體。本發(fā)明具有成本低、占地面積小、環(huán)保且能提高石墨舟使用壽命等優(yōu)點。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明主要涉及石墨舟清洗技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種PECVD設備石墨舟清洗系統(tǒng)。
背景技術(shù)
目前晶硅太陽能電池產(chǎn)品的發(fā)展經(jīng)歷了常規(guī)電池—perc電池—topcon、hit電池的過程。常規(guī)電池已經(jīng)被perc電池取代,其生產(chǎn)工藝已經(jīng)固化,目前正在產(chǎn)業(yè)化新一代的topcon和hit高效電池。不管是哪一代電池,其制造工藝都離不開pecvd設備和石墨舟裝載工具。其中Pecvd設備是晶硅太陽能電池生產(chǎn)工藝中的關(guān)鍵設備,主要用來鍍鈍化膜、減反射膜、非晶硅膜等。它是利用電極間的放電使工藝氣體電離形成新的化合物沉積在硅片表面的過程。石墨舟既是裝載硅片的工具,也是放電的電極。石墨舟作為pecvd設備的硅片裝載工具,用量大,耗量也大,一旦石墨舟表面堵上絕緣膜,將會使其表面導電性變差甚至不導電,因而造成放電無法進行,所以需要定期對石墨舟進行清洗。
目前太陽能電池中PECVD設備用的石墨舟都是采用濕法腐蝕的方法去除表面鍍層,包括SiN、非晶硅等。其采用的工藝是:分解石墨舟-將石墨舟零件放在酸液中浸泡去除表面鍍層-去離子水漂洗-烘干-組裝-表面鍍一層保護膜。
這種工藝存在如下問題:
1、由于每次都需將舟零件浸泡在水溶液里,導致酸、水等液體會滲入到材料內(nèi)部,導致材料性能變化,使用壽命降低,對于石墨舟大約清洗5次后就要報廢;
2、清洗舟的溶液為強酸或含氟溶液,廢水處理費用高;
3、每次清洗后在鍍膜前需對舟表面鍍一層保護膜,即做飽和,導致pecvd設備的有效使用時間減少;
4、每次做飽和時需要水、電、特殊氣體,增加使用成本;
5、清洗設備需要專用設備,與主機設備匹配度低,操作使用要求高;
6、清洗設備采用槽式結(jié)構(gòu),占地面積大、增大凈化間成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就在于:針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供一種成本低、環(huán)保且提高石墨舟使用壽命的PECVD設備石墨舟清洗系統(tǒng)。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:
一種PECVD設備石墨舟清洗系統(tǒng),包括真空腔室、放電單元和氣體導入單元,所述氣體導入單元與真空腔室相連通,用于向所述真空腔室內(nèi)充入工藝氣體,所述放電單元安裝于所述真空腔室上,用于對工藝氣體進行電離來產(chǎn)生等離子體。
作為上述技術(shù)方案的進一步改進:
所述放電單元采用電容耦合結(jié)構(gòu)形式,包括第一放電極板、第二放電極板和射頻電源,所述第一放電極板與第二放電極板位于所述真空腔室的上方且相互圍合形成氣室,所述第一放電極板上設有進氣口,所述進氣口與所述氣體導入單元相連,所述第二放電極板位于所述真空腔室內(nèi),且分布有多個氣孔,所述射頻電源與第一放電極板和第二放電極板電連接。
所述氣室于進氣口處設置有進氣擋板。
所述第一放電極板和第二放電極板與真空腔室的腔蓋之間均設有絕緣件。
多個所述氣室沿所述真空腔室的長度方向依次布置,形成陣列式結(jié)構(gòu)。
所述放電單元采用電感耦合結(jié)構(gòu)形式,包括陶瓷板、線圈和射頻電源,所述陶瓷板位于所述真空腔室的上方,所述線圈分布在所述陶瓷板的上方,所述射頻電源與線圈相連。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





