[發(fā)明專利]一種轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法

在審

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• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115172638A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟汀濤;李福山;鄭文晨;鄭悅婷;鐘濤;郭太良
• 申請（專利權(quán)）人: 福州大學
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 林文弘;蔡學俊

1.一種轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，在透明導(dǎo)電襯底的ITO層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層和圖案化絕緣材料、發(fā)光層、電子傳輸層、金屬陰極，所述圖案化絕緣材料以自組裝方式形成，以轉(zhuǎn)印的方法制備，包括以下步驟：

1）預(yù)先制備帶圖案化柱狀的PDMS印章；

2）將PDMS固定在亞相表面上，并在亞相下放置玻璃基板，并通過LB膜拉膜機自組裝生成圖案化的絕緣材料LB膜；

3）用玻璃基板粘附圖案化的絕緣材料LB膜并提出水面，對其進行80℃退火；

4）將含有圖案化絕緣材料的玻璃基板貼合到空穴傳輸層上，依次按壓、分離，使圖案化的絕緣材料被轉(zhuǎn)印到空穴傳輸層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，圖案化的絕緣材料被轉(zhuǎn)印到空穴傳輸層上后，對其進行80℃退火。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述空穴注入層的材料為聚合物PEDOT:PSS、氧化鉬、氧化鎳、硫氰亞銅中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為聚合物TFB、Poly:TPD、PVK中的一種或幾種的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述圖案化絕緣材料為硬脂酸鋅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述發(fā)光層為CdSe、InP、鹵素鈣鈦礦中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為ZnO納米顆粒、摻雜金屬陽離子的ZnO納米顆粒、ZnO納米顆粒與聚合物的混合體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印圖案化自組裝絕緣材料制備微納QLED的方法，其特征在于，所述金屬陰極的材料為銀或鋁。