[發明專利]激光燒結裝置及燒結方法在審
| 申請號: | 202210779714.1 | 申請日: | 2022-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN115440623A | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 陳海雪;劉盼;張國旗 | 申請(專利權)人: | 復旦大學;復旦大學義烏研究院 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 燒結 裝置 方法 | ||
1.一種激光燒結裝置,其特征在于,包括
基座,用于放置貼合有芯片的基板;
光源,用于對芯片進行燒結;
溫度傳感器,用于監測燒結過程中芯片燒結區域的溫度信號并傳輸到外部電腦上,所述光源根據溫度傳感器的檢測結果調節燒結光強和燒結時間;
透光板,設置在光源燒結的光路上,用于緩沖光源的熱沖擊和放置砝碼負載。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括
運動平臺,置于基座下方,用于實現燒結過程中基板的平面和上下位移;
壓力傳感器,置于基座內,用于監測燒結過程中芯片燒結區域的壓力;
以及砝碼負載,置于透光板上方的四角,用于調節燒結過程中的壓力。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光源為激光器,并選自于Nd:YAG激光器和Nd:YVO4激光器的一種。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述激光器功率范圍10W-200W,掃描速度0.01m/s-5m/s,光斑直徑10μm-100μm,脈沖寬度50fs-200ns,脈沖頻率40kHz-300kHz,波長為355nm、532nm、970nm和1064nm的其中之一。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述溫度傳感器為非接觸式紅外溫度傳感器。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述基座的材料為陶瓷;所述透光板的材料為玻璃。
7.一種激光燒結方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一基板,所述基板表面通過漿料貼合一芯片;
將所述基板置于基座上;
照射芯片表面,對所述芯片區域進行燒結;
監測芯片燒結區域的燒結溫度及燒結壓強;
調節光源功率,使芯片燒結區域的燒結溫度穩定;
冷卻獲得封裝完畢的器件。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述漿料為納米銀漿,包含銀納米顆粒和有機溶劑,銀納米顆粒的粒徑為10nm-300nm,形狀為球形或準球形;所述基板為高分子基材,包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、或聚酰亞胺的至少一種。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,在對所述芯片區域進行燒結的步驟之前,進一步包括對漿料在532K預加熱60s。
10.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,同一基板貼合多個芯片的燒結時,通過運動平臺實現基板的位移,對每個芯片逐一燒結。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





