[發明專利]溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管

在審

• 申請號: 202210778209.5
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN115101598A
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 李磊;許生根;楊曉鸞;孔凡標;李哲鋒
• 申請（專利權）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/40
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，包括N型襯底以及制備于所述N型襯底背面的陰極電極；其特征是：在所述N型襯底的正面制備溝槽型發射極，所述溝槽型發射極包括N型埋層、位于所述N型埋層上的P型層、位于所述P型層上的發射極金屬層以及若干發射極溝槽，其中，

對任一發射極溝槽，所述發射極溝槽貫穿P型層以及N型埋層，所述發射極溝槽的槽底位于N型埋層的下方，所述發射極溝槽的內壁覆蓋溝槽絕緣氧化層，在覆蓋有溝槽絕緣氧化層的發射極溝槽內填充有發射極導電多晶硅；

所述發射極金屬層與P型層以及發射極溝槽內的發射極導電多晶硅歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：所述N型襯底包括N型漂移層以及鄰接所述N型漂移層的N型緩沖層，N型埋層位于N型漂移層上，發射極溝槽的槽底位于N型漂移層內，N型埋層的摻雜濃度大于N型漂移層的摻雜濃度。

3.根據權利要求2所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：所述陰極電極包括N型陰極接觸區以及與所述N型陰極接觸區歐姆接觸的陰極金屬層，N型陰極接觸區與N型緩沖層鄰接，N型陰極接觸區位于N型緩沖層與陰極金屬層之間。

4.根據權利要求1所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：在所述快恢復二極管的俯視平面上，發射極溝槽呈長條狀，發射極溝槽相互平行。

5.根據權利要求3所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：N型陰極接觸區的摻雜濃度大于N型緩沖層的摻雜濃度。

6.根據權利要求1至5任一項所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：所述發射極金屬通過濺射或蒸發工藝制備在P型層上，所述P型層的厚度為3μm～10μm。

7.根據權利要求1至5任一項所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：所述溝槽絕緣氧化層為二氧化硅層，溝槽絕緣氧化層通過熱氧化方式生長后覆蓋發射極溝槽的內壁。

8.根據權利要求1至5任一項所述溝槽型發射極載流子注入控制快恢復二極管，其特征是：所述發射極導電多晶硅通過LPCVD淀積填充在發射極溝槽內。