[發明專利]厚膠光刻方法及微結構器件在審
| 申請號： | 202210773248.6 | 申請日： | 2022-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN114995062A | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 王晨星;楊云春;陸原;張拴 | 申請（專利權）人： | 北京海創微芯科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人： | 王礞 |
| 地址： | 101407 北京市懷柔區雁棲經濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 方法 微結構 器件 | ||
1.一種厚膠光刻方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底上形成光刻膠層；所述光刻膠層的厚度為20～100微米；
對包括光刻膠層的襯底進行N次曝光顯影處理，N≥2且為整數；一次所述曝光顯影處理包括：對所述包括光刻膠層的襯底進行曝光，控制曝光能量為200～2000mj/cm2；對曝光后的襯底進行顯影，控制顯影時間為3～10分鐘。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述N的取值范圍為3～5。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對包括光刻膠層的襯底進行N次曝光顯影處理之前，所述方法還包括：
對所述包括光刻膠層的襯底進行第一烘烤。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述包括光刻膠層的襯底進行第一烘烤，包括：
在烘烤所述包括光刻膠層的襯底時，控制烘烤溫度為60～150℃，烘烤時間為1～5分鐘。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對曝光后的襯底進行顯影之前，所述曝光顯影處理還包括：
對曝光后的襯底進行第二烘烤。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對包括光刻膠層的襯底進行N次曝光顯影處理之后，所述方法還包括：
對曝光顯影后的襯底進行第三烘烤。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對曝光顯影后的襯底進行第三烘烤，包括：
在烘烤所述曝光顯影后的襯底時，控制烘烤溫度為60～120℃，烘烤時間為5～15分鐘。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在襯底上形成光刻膠層之前，所述方法還包括：
在所述襯底上涂布六甲基二硅氮烷；
所述在襯底上形成光刻膠層，包括：
在涂布有所述六甲基二硅氮烷的襯底上形成光刻膠層。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上涂布六甲基二硅氮烷，包括：
在所述襯底上涂布六甲基二硅氮烷時，控制涂布溫度為110～130℃，涂布時間為30～50秒。
10.一種微結構器件，其特征在于，所述微結構器件采用如權利要求1～9中任一項所述的厚膠光刻方法進行光刻。
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