[發(fā)明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210769967.0
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN115132759A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾飛;宋德偉;龍時(shí)宇
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

本申請實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板。該陣列基板包括襯底、金屬圖案層、有源層。其中，該有源層包括摻雜區(qū)域以及溝道區(qū)域，摻雜區(qū)域設(shè)置在溝道區(qū)域的兩側(cè)，該金屬圖案層還包括間隔區(qū)域，該間隔區(qū)域與溝道區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。這樣，該間隔區(qū)域?qū)⒔饘賵D案層分割成至少兩部分，在與有源層的溝道區(qū)域?qū)?yīng)位置處，該金屬圖案層不連續(xù)，從而有效的降低器件內(nèi)的漏致勢壘降低效應(yīng)，并且有效的提高器件的綜合性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示面板的設(shè)計(jì)及制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示面板制備技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示面板及顯示裝置的顯示效果以及綜合性能均提出了更高的要求。

顯示面板中，薄膜晶體管器件是液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)等顯示裝置中有源驅(qū)動(dòng)以及周邊電路中的關(guān)鍵部件。現(xiàn)代顯示要求陣列基板中具有較高的開口率以及窄邊框等特性，同時(shí)滿足高頻和低功耗顯示需求。因此，薄膜晶體管器件尺寸需要進(jìn)一步縮小，以減少其占用的空間，并降低薄膜晶體管器件的功耗和延遲。但是，現(xiàn)有技術(shù)中，隨著薄膜晶體管器件尺寸的縮小，漏致勢壘降低效應(yīng)(drain-induced barrier lowering，DIBL)會對器件產(chǎn)生較大的不利影響。具體，如漏電流增大，閾值電壓嚴(yán)重負(fù)漂，器件穩(wěn)定性降低等，從而降低產(chǎn)品性能和良率。對于有遮光層的薄膜晶體管器件，由于遮光層金屬為電學(xué)浮空狀態(tài)，漏極電壓逐步升高時(shí)可以通過電容耦合效應(yīng)使得遮光層的電勢升高，然后進(jìn)一步耦合到源極，最終導(dǎo)致源極勢壘降低，從而加重了DIBL效應(yīng)。不利于顯示面板等設(shè)備綜合性能的進(jìn)一步提高。

綜上所述，現(xiàn)有的顯示面板中，顯示面板內(nèi)部陣列基板中的遮光層會導(dǎo)致器件內(nèi)部出現(xiàn)源/漏致勢壘降低效應(yīng)，并使得薄膜晶體管器件的性能降低，不利于器件綜合性能的進(jìn)一步提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板。以有效的改善薄膜晶體管器件內(nèi)部出現(xiàn)源/漏致勢壘降低效應(yīng)，并提高器件的綜合性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示面板。該陣列基板包括：

襯底；

金屬圖案層，所述金屬圖案層設(shè)置在所述襯底上；以及，

有源層，所述有源層設(shè)置在所述金屬圖案層之上，所述有源層包括溝道區(qū)域以及設(shè)置在所述溝道區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域；

其中，所述金屬圖案層包括間隔區(qū)域和至少設(shè)置在所述間隔區(qū)域一側(cè)的遮光區(qū)域，且所述間隔區(qū)域設(shè)置在與所述溝道區(qū)域相對應(yīng)位置處。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述金屬圖案層的所述間隔區(qū)域的長度小于所述有源層的所述溝道區(qū)域的長度。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述金屬圖案層在所述間隔區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少一間隙。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述間隙設(shè)置在所述金屬圖案層與所述溝道區(qū)域相對應(yīng)的中部位置處，且所述金屬圖案層相對所述間隙對稱設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述間隙的長度設(shè)置為0.3um-3um之間。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述陣列基板還包括：

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述有源層之上；

柵極，所述柵極設(shè)置在所述柵極絕緣層上；以及，

源/漏金屬層，所述源/漏金屬層設(shè)置在所述柵極之上，且所述源/漏金屬層通過第一過孔與所述有源層電連接。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述金屬圖案層與所述有源層以及所述柵極對應(yīng)設(shè)置，且所述柵極在所述有源層上的投影至少覆蓋所述溝道區(qū)域。