[發明專利]一種抗猝滅黃光熒光材料及其制備方法有效
| 申請號： | 202210767213.1 | 申請日： | 2022-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN115073760B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 黃薇;扎西文江;李淼;吳大雨 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;C09K11/06;H01L33/50 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 劉卉 |
| 地址： | 213164 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 抗猝滅黃光 熒光 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，名稱是CZYF-1，分子式是[Cu4I4(bpp)2]n，其中，bbp是1,3-雙（二苯基膦基）丙烷，與Cu自組裝形成孤立的Cu4I4P4簇，所述Cu4I4P4簇通過配體bpp橋連形成二維平面結構；Cu4I4團簇通過兩個bpp配體末端Cu－P鍵相互連接，形成一維團簇鏈，一維團簇鏈通過π-π堆積作用進一步形成二維平面結構，最短原子間距離為3.465??。
2.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，所述CZYF-1在298K溫度下發射光譜顯示黃光發射帶，發射波長為600nm。
3.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，所述CZYF-1在355nm激發波長條件下，半峰寬為84nm，絕對熒光量子效應為80%。
4.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，所述CZYF-1的白光LED電致發光光譜覆蓋400~750nm的可見區域。
5.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，基于所述CZYF-1的wLED的CIE?x坐標在100~1000mA的高通量電流范圍內的變化范圍是0.31~0.35。
6.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，基于所述CZYF-1的wLED的CRI值為90，CCT為4809?K，磁通電流為1000?mA。
7.根據權利要求1所述的一種抗猝滅黃光熒光材料，其特征在于，所述CZYF-1的黃光熒光粉LED在1000mA的電流下呈現出亮黃光發射。
8.根據權利要求1~7任意一項所述的抗猝滅黃光熒光材料的制備方法，其特征在于，將CuI和bpp溶解于混合溶劑中，置于高壓釜中水熱合成得到所述熒光材料。
9.根據權利要求8所述的抗猝滅黃光熒光材料的制備方法，其特征在于，所述CuI與bbp的反應摩爾比為2:1。
10.根據權利要求8所述的抗猝滅黃光熒光材料的制備方法，其特征在于，所述混合溶劑中CH3CN和H2O的體積比為1:1。
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