[發明專利]一種石墨烯薄膜的轉移方法在審
| 申請號： | 202210767015.5 | 申請日： | 2022-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN115161775A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 王煒;沈大勇;譚化兵;瞿研;郭冰 | 申請（專利權）人： | 常州第六元素半導體有限公司;江蘇江南烯元石墨烯科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/00 | 分類號： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京世衡知識產權代理事務所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳 |
| 地址： | 213100 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 薄膜 轉移 方法 | ||
1.一種石墨烯薄膜的轉移方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
將轉移介質貼附于生長在生長襯底上的石墨烯薄膜遠離生長襯底一側的表面上；
剝離生長襯底；
將石墨烯薄膜遠離轉移介質的一側表面貼附于目標襯底上形成轉移介質、石墨烯薄膜和目標襯底依次堆疊的結構；
將依次堆疊的轉移介質、石墨烯薄膜和目標襯底置于容器中，在一定的溫度和環境壓強下向所述轉移介質施加壓力；
從容器中取出依次堆疊的轉移介質、石墨烯薄膜和目標襯底，剝離所述轉移介質；
其中，所述轉移介質為非晶態物質。
2.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述非晶態物質的熱變形溫度不低于30℃，同時不高于200℃；優選所述熱變形溫度為40℃～120℃。
3.根據權利要求1或2所述的轉移方法，其特征在于，所述非晶態物質包括天然樹脂，聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯和聚氯乙烯樹脂中的一種或幾種；所述天然樹脂包括石蠟或松香。
4.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜包含1～10層的石墨烯。
5.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，剝離生長襯底包括腐蝕生長襯底，直接撕掉生長襯底，鼓泡法剝離生長襯底；優選為腐蝕生長襯底。
6.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述目標襯底的表面粗糙度為0.1～1000。
7.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，剝離所述轉移介質時容器內的環境壓強為0.1Pa～0.05MPa；容器內的溫度不低于所述轉移介質的熱變形溫度同時不高于所述轉移介質的粘流溫度。
8.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述向所述轉移介質施加壓力中施加的壓力大小為0.01MPa～100MPa，施加壓力的時間為1s～72h。
9.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，剝離所述轉移介質的方法包括腐蝕轉移介質，溶解轉移介質，直接撕離轉移介質，或升華、揮發轉移介質。
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