[發(fā)明專利]一種磷化銦晶片的表面處理方法

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• 申請日: 2022-07-01
• 公開（公告）號: CN115020218A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董晨晨;劉良副;鄭金龍;馬金峰;周鐵軍
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/304;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊威

本發(fā)明提供了一種磷化銦晶片的表面處理方法，包括以下步驟：a)將拋光、化蠟后的磷化銦晶片采用混合藥液進行過藥處理，得到處理后晶片；所述混合藥液由氧化劑溶液、酸溶液和水配制而成；b)將步驟a)得到的處理后晶片依次經(jīng)沖水、甩干，得到清洗檢驗前的磷化銦晶片。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的磷化銦晶片的表面處理方法是出現(xiàn)在磷化銦晶片清洗檢驗前的一個重要工藝，該表面處理方法操作簡便、效率高；處理后的晶片表面粗糙度會更好，產(chǎn)品良率更高；并且所使用的混合藥液中各成分均為常見無機化學(xué)品，成本低；因此本發(fā)明提供的磷化銦晶片的表面處理方法具有廣闊的應(yīng)用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體晶片表面處理技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種磷化銦晶片的表面處理方法。

背景技術(shù)

磷化銦晶片目前在通信、醫(yī)療、光電等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，有著高效的電子遷移率和電光轉(zhuǎn)化率，適合制作手機芯片，具有優(yōu)異的抗輻射能力，還可用于制造太陽能電池，是一種有著廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料。

現(xiàn)階段磷化銦晶片所急需解決的問題仍然是在降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率的情況下，提高晶片的表面質(zhì)量。

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的快速發(fā)展，對磷化銦晶片表面的質(zhì)量要求也越來越高，因此必須降低其表面的粗糙度來保證后續(xù)外延的高效進行。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種磷化銦晶片的表面處理方法，可降低晶片的表面粗糙度，并可以提高后續(xù)晶片加工的效率，提升良率。

本發(fā)明提供了一種磷化銦晶片的表面處理方法，包括以下步驟：

a)將拋光、化蠟后的磷化銦晶片采用混合藥液進行過藥處理，得到處理后晶片；所述混合藥液由氧化劑溶液、酸溶液和水配制而成；

b)將步驟a)得到的處理后晶片依次經(jīng)沖水、甩干，得到清洗檢驗前的磷化銦晶片。

優(yōu)選的，步驟a)中所述化蠟的過程具體為：

將拋光后的磷化銦晶片下片后，放入周轉(zhuǎn)卡塞中；配置10L清洗藥液，清洗藥液采用水與無機清洗藥劑按體積比(9～11)：1配制，將清洗藥液加熱至80℃～85℃，將磷化銦晶片按順序放入化蠟卡塞，進行化蠟，過藥時間控制在200s～300s，化蠟之后沖水100s～300s，最后將磷化銦晶片甩干，完成化蠟過程。

優(yōu)選的，所述無機清洗藥劑包括以下組分：

四甲基氫氧化銨1wt％～3wt％；

聚乙二醇13wt％～15wt％；

正己烷13wt％～15wt％；

焦磷酸鈉2wt％～5wt％；

余量的超純水。

優(yōu)選的，步驟a)中所述氧化劑溶液為高錳酸鉀溶液、過氧化氫溶液或硝酸鉀溶液；所述氧化劑溶液的濃度為3％～8％。

優(yōu)選的，步驟a)中所述酸溶液為硫酸溶液、硝酸溶液、鹽酸溶液或醋酸溶液；所述酸溶液的濃度為0.28％～0.32％。

優(yōu)選的，步驟a)中所述氧化劑溶液、酸溶液和水的體積比為1：(0.5～1.5)：(2～3)。

優(yōu)選的，步驟a)中所述混合藥液的pH值為0.8～1.2。

優(yōu)選的，步驟a)中所述過藥處理的過程具體為：

將拋光、化蠟后的磷化銦晶片按順序放入卡塞中，浸入混合藥液中，控制時間為20min～40min，取出。

優(yōu)選的，步驟b)中所述沖水的時間大于等于60s。