[發(fā)明專利]一種讀取系數(shù)計(jì)算方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210764599.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115132259A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李棟;鄭善龍;蘇軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/26 | 分類號(hào): | G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王曉坤 |
| 地址: | 215100 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 讀取 系數(shù) 計(jì)算方法 裝置 設(shè)備 介質(zhì) | ||
本申請(qǐng)公開了一種讀取系數(shù)計(jì)算方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),涉及集成電路領(lǐng)域,包括:按照預(yù)設(shè)第一讀取次數(shù)對(duì)第一組數(shù)據(jù)進(jìn)行塊讀取以得到第一電壓圖,對(duì)第二組數(shù)據(jù)進(jìn)行頁讀取以得到第二電壓圖,從第一電壓圖和第二電壓圖中確定第一電壓值和第二電壓值的位置關(guān)系;判斷第一電壓值與第二電壓值的位置關(guān)系是否發(fā)生改變,若否,則確定出第二讀取次數(shù),并基于第二讀取次數(shù)對(duì)第二組數(shù)據(jù)進(jìn)行頁讀取以得到第三電壓圖,從第一電壓圖和第三電壓圖中確定出第一電壓值和第三電壓值的位置關(guān)系;判斷第一電壓值與第三電壓值的位置關(guān)系是否發(fā)生改變,若是,則計(jì)算出頁讀取次數(shù),以計(jì)算出塊讀取和頁讀取之間的系數(shù)。本申請(qǐng)能夠精確得到塊讀取與頁讀取的之間換算關(guān)系。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,特別涉及一種讀取系數(shù)計(jì)算方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。
背景技術(shù)
目前,Nand Flash(閃存芯片,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的一種)具有Read Disturb(讀串?dāng)_)特性,隨著Block(數(shù)據(jù)塊)內(nèi)讀的次數(shù)的增加,使用Default Read,Err Bit會(huì)升高,具體原因是最優(yōu)讀電壓已經(jīng)偏移,當(dāng)讀的次數(shù)達(dá)到一定閾值時(shí),Read的Err Bit(報(bào)錯(cuò)信息)數(shù)量會(huì)超過ECC(一種能夠?qū)崿F(xiàn)錯(cuò)誤檢查和糾正的內(nèi)存條)糾錯(cuò)能力,導(dǎo)致讀取失敗,造成數(shù)據(jù)丟失。所以為了保證數(shù)據(jù)安全,再對(duì)Block讀的次數(shù)達(dá)到一定值時(shí),需要對(duì)該Block內(nèi)數(shù)據(jù)進(jìn)行一次搬移以消除Read Disturb的影響。Nand Flash廠商一般在告知Read Disturb的可靠性參數(shù)時(shí),是按照Block Read次數(shù)來的,但是實(shí)際使用時(shí),比如在SSD(Solid State Disk,固態(tài)硬盤)中,大部分應(yīng)用場(chǎng)景是Page Read(頁讀取),即很少會(huì)一次讀一個(gè)Block數(shù)據(jù)。所以就存在Page Read次數(shù)到Block Read(塊讀取)次數(shù)的轉(zhuǎn)換,從而判斷是否達(dá)到數(shù)據(jù)搬移的門限值。目前較為簡(jiǎn)單的做法是將Block Read與Page Read的權(quán)重看的一樣,1:1換算,即:比如一個(gè)Block中有1000個(gè)Page,則1000次Page Read轉(zhuǎn)換為1次Block Read,這種計(jì)算方式可以大約估算出Block Read的次數(shù),但是結(jié)果不是很準(zhǔn)確。
由上可見,在讀取系數(shù)計(jì)算的過程中,如何精確得到不同先決條件下的Block的塊讀取與頁讀取的之間換算關(guān)系,減小Hard Decode(硬解碼)失敗的概率以及不必要的搬移,提高SSD盤性能是本領(lǐng)域有待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種讀取系數(shù)計(jì)算方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),能夠精確得到不同先決條件下的Block的塊讀取與頁讀取的之間換算關(guān)系,減小Hard Decode失敗的概率以及不必要的搬移,提高SSD盤性能。其具體方案如下:
第一方面,本申請(qǐng)公開了一種讀取系數(shù)計(jì)算方法,包括:
獲取預(yù)設(shè)的第一讀取次數(shù),并按照所述第一讀取次數(shù)對(duì)第一組數(shù)據(jù)進(jìn)行塊讀取,以繪制出第一電壓圖,基于所述第一讀取次數(shù)計(jì)算出頁讀取起始點(diǎn)和計(jì)算精度,基于所述第一讀取次數(shù)對(duì)第二組數(shù)據(jù)進(jìn)行頁讀取,以繪制出第二電壓圖,從所述第一電壓圖和所述第二電壓圖中確定出第一電壓值和第二電壓值的位置關(guān)系;
判斷所述第一電壓值與所述第二電壓值之間的位置關(guān)系是否發(fā)生改變,若所述第一電壓值與所述第二電壓值之間的位置關(guān)系沒有發(fā)生改變,則基于所述頁讀取起始點(diǎn)和所述計(jì)算精度確定出第二讀取次數(shù),并基于所述第二讀取次數(shù)對(duì)第二組數(shù)據(jù)進(jìn)行頁讀取,以繪制出第三電壓圖,從所述第一電壓圖和所述第三電壓圖中確定出所述第一電壓值和第三電壓值的位置關(guān)系;
判斷所述第一電壓值與所述第三電壓值之間的位置關(guān)系是否發(fā)生改變,若所述第一電壓值與所述第三電壓值之間的位置關(guān)系發(fā)生改變,則基于所述第一電壓值、所述第二電壓值、所述第三電壓值以及所述計(jì)算精度計(jì)算出頁讀取次數(shù),以便基于所述頁讀取次數(shù)、所述第一電壓值以及所述第一讀取次數(shù)計(jì)算出所述塊讀取和所述頁讀取之間的系數(shù)。
可選的,所述獲取預(yù)設(shè)的第一讀取次數(shù)之前,還包括:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州浪潮智能科技有限公司,未經(jīng)蘇州浪潮智能科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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