[發明專利]數據處理方法、裝置、芯片、電子設備和介質在審
| 申請號: | 202210760903.4 | 申請日: | 2022-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN115019054A | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 鮑光普;洪磊;李敏麗 | 申請(專利權)人: | 瀚博半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G06V10/42 | 分類號: | G06V10/42 |
| 代理公司: | 北京市漢坤律師事務所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吳麗麗 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區自由貿*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據處理 方法 裝置 芯片 電子設備 介質 | ||
1.一種數據處理方法,所述方法包括:
獲取輸入特征圖;
獲取第一卷積核,所述第一卷積核包括多個元素;
將所述第一卷積核拆分為多個第二卷積核,所述多個第二卷積核與所述多個元素一一對應;
將所述多個第二卷積核存儲至存儲器;
獲取所述第一卷積核的用于空洞卷積計算的空洞卷積信息,所述空洞卷積信息包括擴張率和預設步長;以及
基于所述擴張率、預設步長和所述多個第二卷積核對所述輸入特征圖進行所述空洞卷積計算。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述空洞卷積計算包括:
針對所述多個第二卷積核中的每個第二卷積核,利用所述第二卷積核對所述輸入特征圖進行卷積計算,以得到中間特征圖;
針對所述多個第二卷積核各自相應的多個中間特征圖,基于所述擴張率和預設步長確定每個所述中間特征圖的有效區域;以及
基于所述多個中間特征圖各自的有效區域,獲得所述空洞卷積計算的結果。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,利用所述第二卷積核對所述輸入特征圖進行卷積計算包括:
利用所述第二卷積核,以步長1遍歷所述輸入特征圖中每個元素的方式對所述輸入特征圖進行卷積計算。
4.根據權利要求2所述的方法,其中,基于所述多個中間特征圖各自的有效區域,獲得所述空洞卷積計算的結果包括:
對所述多個中間特征圖各自的有效區域中對應的元素進行求和,以得到輸出特征圖;以及
基于所述輸出特征圖,獲得所述空洞卷積計算的結果。
5.根據權利要求2所述的方法,其中,針對所述多個第二卷積核各自相應的多個中間特征圖,基于所述擴張率和預設步長確定每個所述中間特征圖的有效區域包括:
根據所述擴張率和預設步長,確定所述有效區域的多個角點坐標;以及
從所述中間特征圖中提取所述多個角點坐標所包圍的所述有效區域。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,根據所述擴張率和預設步長,確定所述有效區域的多個角點坐標包括:
根據所述擴張率和預設步長,確定所述有效區域的橫向起始角點坐標和縱向起始角點坐標;以及
根據所述擴張率、預設步長和所述輸入特征圖的尺寸,確定所述有效區域的橫向終止角點坐標和縱向終止角點坐標。
7.根據權利要求2至6中任一項所述的方法,其中,所述空洞卷積信息還包括填充信息,并且針對所述多個第二卷積核各自相應的多個中間特征圖,基于所述擴張率、預設步長和所述填充信確定每個所述中間特征圖的有效區域。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,基于所述多個中間特征圖各自的有效區域,獲得所述空洞卷積計算的結果包括:
根據所述填充信息、擴張率和預設步長,從多個有效區域中確定待填充有效區域和不填充有效區域,以及所述待填充有效區域周圍的待填充區域;
在所述待填充有效區域周圍的所述待填充區域中填充預設元素值;以及
基于所述不填充有效區域和經填充后的待填充有效區域,獲得所述空洞卷積計算的結果,其中,所述不填充有效區域和經填充后的待填充有效區域的尺寸相同。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,根據所述填充信息、擴張率和預設步長,從多個有效區域中確定所述待填充有效區域周圍的待填充區域包括:
根據所述填充信息、擴張率和預設步長,確定所述待填充區域的橫向起始角點坐標和縱向起始角點坐標;以及
根據所述填充信息、擴張率、預設步長和所述輸入特征圖的尺寸,確定所述待填充區域的橫向終止角點坐標和縱向終止角點坐標。
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