[發(fā)明專利]形成正偏差CD值的STI刻蝕方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210760422.3
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN115172256A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張振興
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：

提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面涂覆DARC層及圖形傳導(dǎo)層，所述DARC層覆蓋于所述圖形傳導(dǎo)層的上方，所述圖形傳導(dǎo)層覆蓋在所述的半導(dǎo)體襯底表面；

在光刻時，光刻膠打開刻蝕窗口，對所述DARC層進行刻蝕，在所述DARC上刻蝕出傾斜的形貌，并在進一步刻蝕圖形傳導(dǎo)層的時候把傾斜形貌傳導(dǎo)在所述圖形傳導(dǎo)層上；

STI溝槽與硬掩模保持線性度的一致。

2.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述圖形傳導(dǎo)層為APF層；所述DARC層與所述圖形傳導(dǎo)層一起完成光刻膠的圖形的轉(zhuǎn)移。

3.如權(quán)利要求2所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的APF層為含無定形碳的硬掩模層；其刻蝕選擇比大于6，在后續(xù)的刻蝕過程中，DARC作為阻擋層其形貌會被破壞，而APF因為高選擇比的特性能夠維持形貌。

4.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的圖形傳導(dǎo)層采用CVD工藝淀積形成。

5.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的圖形傳導(dǎo)層，其材質(zhì)需要能滿足容易被等離子體刻蝕去除。

6.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的圖形傳導(dǎo)層，其刻蝕選擇比，對于氧化硅需要大于10；對于多晶硅，需要大于6。

7.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的圖形傳導(dǎo)層在曝光時具有低的反射率，其反射率低于0.5％。

8.如權(quán)利要求1所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述的溝槽刻蝕完成之后，還包括在所述溝槽中進行介質(zhì)的填充步驟。

9.如權(quán)利要求8所述的形成正偏差CD值的STI刻蝕方法，其特征在于：所述填充的介質(zhì)包括氧化硅或者是氮化硅。