[發(fā)明專(zhuān)利]一種識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210759798.2
• 申請(qǐng)日: 2022-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115061029A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊劍群;李興冀;萬(wàn)鵬飛;呂鋼;董尚利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京隆源天恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11473
• 代理人: 鮑麗偉

1.一種識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、測(cè)試AlGaN/GaN-HEMTs的電化學(xué)性能，確定器件的開(kāi)態(tài)、半開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)的柵極電壓范圍；

步驟S2、采用深能級(jí)瞬態(tài)譜技術(shù)，在不同柵極電壓下對(duì)AlGaN/GaN-HEMTs進(jìn)行深能級(jí)缺陷測(cè)試，其中，所述柵極電壓能夠覆蓋開(kāi)態(tài)、半開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)；

步驟S3、分析不同柵極電壓條件下AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷的分布區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用半導(dǎo)體測(cè)試儀測(cè)試AlGaN/GaN-HEMTs的電化學(xué)性能，測(cè)試過(guò)程中AlGaN/GaN-HEMTs的漏極接正電壓，所述柵極電壓從低電壓掃描至高電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述漏極的電壓為0.1V。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述柵極電壓從-4V掃描至0V。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述步驟S2中，深能級(jí)瞬態(tài)測(cè)試過(guò)程中，漏極電壓設(shè)置為10V的脈沖電壓，且脈沖時(shí)間為0.001s，源極接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，深能級(jí)瞬態(tài)的速率窗口設(shè)置為5s，測(cè)試溫度為15～400K。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述柵極電壓分別設(shè)置為-1.4V，-1.8V，-1.9V，-1.95V，-2.0V，-2.05V和-2.1V。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法，其特征在于，所述步驟S3中，不同柵極電壓條件下，AlGaN/GaN-HEMTs分別處于開(kāi)態(tài)、半開(kāi)態(tài)或關(guān)態(tài)，根據(jù)所述步驟S2中得到的不同柵極電壓下的深能級(jí)瞬態(tài)譜分析AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域。