[發(fā)明專利]TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)制備方法及電池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210759245.7
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN115101626A
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈健;趙福祥
• 申請（專利權(quán)）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 樊曉娜

1.一種TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在硅基體的背面由內(nèi)向外依次生長隧穿氧化層、摻雜納米晶氧化硅層、鈍化層，再制備背面金屬電極，其中，在所述的隧穿氧化層上沉積所述的摻雜納米晶氧化硅層的步驟為：在反應(yīng)爐中通入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體包括磷烷、乙硼烷中的一種以及硅烷、氫氣、二氧化碳，待反應(yīng)結(jié)束后，進(jìn)行退火，完成晶化得到所述的摻雜納米晶氧化硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在反應(yīng)爐中通入反應(yīng)氣體進(jìn)行反應(yīng)的時間為300-700s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述的硅基體為N型晶體硅，所述的反應(yīng)氣體為磷烷、硅烷、氫氣、二氧化碳，所述的硅烷的流量為3.5-4.5sccm，所述的氫氣的流量為450-550sccm，所述的二氧化碳的流量為1-3sccm，所述的磷烷的流量為0.07-0.09sccm；

當(dāng)所述的硅基體為P型晶體硅，所述的反應(yīng)氣體為乙硼烷、硅烷、氫氣、二氧化碳，所述的硅烷的流量為8-10sccm，所述的氫氣的流量為800-1000sccm，所述的二氧化碳的流量為1-3sccm，所述的乙硼烷的流量為0.008-0.010sccm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，通過PECVD設(shè)備在所述的隧穿氧化層上生長所述的摻雜納米晶氧化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述的PECVD設(shè)備使用的壓力為1-2Torr，射頻功率為30-70mW/cm²，溫度為100-120℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述的隧穿氧化層上沉積所述的摻雜納米晶氧化硅層的步驟中，待反應(yīng)結(jié)束后，在溫度850℃-1000℃下進(jìn)行退火；退火時間為15-30min。

7.一種由權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)的制備方法制備得到的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，硅基體的背面由內(nèi)向外依次設(shè)置隧穿氧化層、摻雜納米晶氧化硅層、鈍化層、背面金屬電極，所述的硅基體為N形硅基體或P形硅基體，所述的隧穿氧化層的材質(zhì)為二氧化硅，所述的摻雜納米晶氧化硅層的材質(zhì)包括摻雜元素、SiO_X、納米晶硅，摻雜元素包括磷或硼。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的摻雜納米晶氧化硅層的厚度為30-100nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的摻雜納米晶氧化硅層的厚度為30-50nm。

10.一種太陽能電池，其特征在于：包括權(quán)利要求7-9中任意一項(xiàng)所述的TOPCON太陽能電池背面結(jié)構(gòu)。