[發明專利]一種基于電阻率新參數的海相頁巖低電阻成因類型與頁巖氣勘探潛力判識方法

有效

• 申請號: 202210758835.8
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN115097107B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 吳永輝;姜振學;薛子鑫;梁志凱;張淵;王子朋;張原豪;陳瑞華;郭婕;陳志祥
• 申請（專利權）人: 中國石油大學（北京）
• 主分類號: G01N33/24
• 分類號: G01N33/24;G01V99/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉樂

1.一種基于電阻率新參數的頁巖低電阻成因類型與頁巖氣勘探潛力判識方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)基于不同的熱演化程度，實地采集多個頁巖柱樣，并制作相應的頁巖粉末以及烘干后的頁巖柱樣，稱取頁巖柱樣的質量以及烘干后的頁巖柱樣的質量；

2)計算上述步驟得到的多個的頁巖柱樣的孔體積，以及計算上述步驟得到的多個的頁巖柱樣的含水飽和度；

烘干上述步驟得到的多個不同熱演化程度的頁巖粉末，并測量相應的全巖礦物組成、有機質豐度、等效鏡質體反射率，獲取粘土礦物含量、黃鐵礦含量、總有機碳含量及等效鏡質體反射率的數值；

3)基于步驟2)得到的數據，分別繪制頁巖柱樣的測井電阻率與粘土礦物含量、黃鐵礦含量、含水飽和度、等效鏡質體反射率、總有機碳含量的相關性熱圖，進而得到不同熱演化程度的頁巖柱樣的低電阻成因類型；

4)統計各個頁巖柱樣的現場解析氣量并按頁巖氣工業產能標準進行分類，然后分類繪制電阻率新參數與電阻率的交會圖，得到不同低電阻成因類型與含氣量高低的分布區間，并確定二者在電阻率新參數與電阻率交會圖分布的對應關系；

所述電阻率新參數為Res_new1，RD為深側向電阻率，RS為淺側向電阻率，如式(6)或式(7)所示：

2.根據權利要求1所述的判識方法，其特征在于，所述實地包括單一勘探區或產氣區的單井、單一勘探區或產氣區的多井、多個勘探區和/或產氣區的單井以及多個勘探區和/或產氣區的多井；

所述頁巖包括海相頁巖。

3.根據權利要求1所述的判識方法，其特征在于，所述采集方式包括：

根據研究區地質背景、前期地質、地化分析測試資料，明確研究區不同熱演化程度頁巖的平面分布特征，以此為依據進行不同熱演化程度新鮮頁巖樣品收集。

4.根據權利要求1所述的判識方法，其特征在于，所述孔體積和含水飽和度的計算方式包括以下步驟：

所述實地采集的頁巖柱樣的質量記為m₁，m₂，…，m_k；

所述烘干后的頁巖柱樣的質量記為m₁₁，m₂₂，…，m_kk；

將步驟1)中得到的烘干后的頁巖柱樣進行飽水實驗，得到飽水后的柱樣的質量，記為m₁₁₁，m₂₂₂，…，m_kkk；

通過計算實地采集的頁巖柱樣與烘干后的頁巖柱樣的質量差值，得到不同熱演化程度的原始巖樣中水的質量，記為m_1w，m_2w，…，m_kw；

通過計算飽水后的柱樣與烘干后的頁巖柱樣的質量差值，得到飽水后的頁巖柱樣中水的質量m_1bw，m_2bw，…，m_kbw；

所述頁巖柱樣的孔體積和含水飽和度公式如式(1)～(5)所示：

m_ibw＝m_iii-m_ii?i＝1，2，…，k??????????(1)

V_i＝m_ibw/ρ_w?i＝1，2，…，k??????(2)

m_iw＝m_i-m_ii?i＝1，2，…，k??????(3)

V_iw＝m_iw/ρ_w?i＝1，2，…，k??????(4)

S_iw＝V_iw/V_i?i＝1，2，…，k??????(5)

其中，V_i為飽水后的頁巖柱樣和烘干頁巖柱樣的質量差對應的頁巖柱樣的孔體積，ρ_w為水的密度，V_iw為實地采集的頁巖柱樣和烘干頁巖柱樣的質量差對應的頁巖柱樣的孔體積，S_iw為頁巖柱樣的含水飽和度。