[發明專利]溫度分布圖庫的建立方法和晶圓表面溫度的獲取方法

有效

• 申請號: 202210758164.5
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN115048803B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 黃帥帥;肖蘊章;鐘國仿;康博文;陳炳安
• 申請（專利權）人: 深圳市納設智能裝備有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F119/08
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 賈耀斌

本申請實施例公開了一種溫度分布圖庫的建立方法和晶圓表面溫度的獲取方法，該溫度分布圖庫的建立方法通過溫度試驗獲取晶圓的表面溫度分布情況，并進行晶圓仿真分析以確定使仿真結果與溫度試驗結果契合的候選仿真參數，改變溫度試驗的邊界條件再次進行溫度試驗，將候選仿真參數帶入改變后的邊界條件再次進行仿真分析，以確定一組使仿真結果與溫度試驗結果契合的契合仿真參數，基于契合仿真參數得到不同邊界條件下晶圓的表面溫度分布情況，以建立得到溫度分布圖庫。本申請通過該溫度分布圖庫不僅可以更加準確、快速的確定晶圓表面溫度分布情況，避免了進行多次的溫度試驗，還可以降低晶圓表面溫度的獲取成本。

技術領域

本發明涉及領域，尤其涉及一種溫度分布圖庫的建立方法和晶圓表面溫度的獲取方法。

背景技術

新能源汽車領域對碳化硅器件的需求與日俱增。從碳化硅襯底片到制作成為碳化硅器件需要經過非常多且復雜的過程，其中利用化學氣相沉積(CVD)的方式在碳化硅襯底上生長碳化硅外延層的成本是最高的。在碳化硅襯底生長過程中，晶圓表面溫度分布的不一致性對制程的影響越來越大。

目前并沒有方法能夠較為準確的獲取晶圓的表面溫度分布情況，也沒有明確的算法及參數適用于碳化硅外延高溫反應室的流固熱耦合場仿真分析，通過仿真的方式能夠獲得晶圓表面溫度分布情況，但這可能與實際情況存在較大的偏差，并且難以獲得適合求解高溫反應室內部的求解器、算法及參數設置。

發明內容

第一方面，本發明提供一種溫度分布圖庫的建立方法，包括：

通過溫度試驗獲取晶圓的表面溫度分布情況；

根據設置的多組仿真參數進行晶圓仿真分析以確定使仿真結果與溫度試驗結果契合的至少一組候選仿真參數；

改變所述溫度試驗的邊界條件再次進行溫度試驗，將所述至少一組候選仿真參數帶入改變后的邊界條件再次進行仿真分析，以確定一組使仿真結果與溫度試驗結果契合的契合仿真參數；

基于所述契合仿真參數得到不同邊界條件下所述晶圓的表面溫度分布情況，以建立得到溫度分布圖庫。

在可選的實施方式中，所述通過溫度試驗獲取晶圓的表面溫度分布情況，包括：

在晶圓的表面設置多個測溫陶瓷環；

根據所述測溫陶瓷環的變形量確定對應的溫度；

基于各個所述溫度和對應的測溫陶瓷環的位置確定所述晶圓的表面溫度分布情況。

在可選的實施方式中，所述根據設置的多組仿真參數進行晶圓仿真分析以確定使仿真結果與溫度試驗結果契合的至少一組候選仿真參數，包括：

基于設置的多組仿真參數進行流固熱耦合物理場的仿真分析，得到多個仿真結果；

當所述仿真結果與溫度試驗結果的差值在預設范圍內時，確定所述仿真結果對應的仿真參數為候選仿真參數。

在可選的實施方式中，所述將所述至少一組候選仿真參數帶入改變后的邊界條件再次進行仿真分析，包括：

將所述至少一組候選仿真參數帶入改變后的邊界條件再次進行仿真分析，得到至少一個仿真結果；

將所述改變后的邊界條件下的溫度試驗結果與對應的至少一個仿真結果進行對比。

在可選的實施方式中，所述基于所述契合仿真參數得到不同邊界條件下所述晶圓的表面溫度分布情況，包括：

通過所述契合仿真參數和不同邊界條件對應的表面溫度分布情況確定對應的至少一個表面溫度分布云圖；

將所述不同邊界條件和所述表面溫度分布云圖一一對應進行存儲；

基于所述至少一個表面溫度分布云圖，建立得到溫度分布圖庫。