[發(fā)明專利]一種具有肖特基接觸的平面柵SJ IGBT器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210754547.5
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN115020475A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李澤宏;楊遠(yuǎn)振;陳鵬;李陸坪;王彤陽;趙一尚;馮敬成
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);電子科技大學(xué)重慶微電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/47;H01L29/739
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 霍淑利

1.一種具有肖特基接觸的平面柵SJ IGBT器件，其特征在于，其元胞結(jié)構(gòu)包括從下至上依次層疊的集電極金屬(1)、P+集電區(qū)(2)、N型場截止區(qū)(3)、漂移區(qū)、N型載流子存儲區(qū)(6)和金屬發(fā)射極(12)；

所述漂移區(qū)具有側(cè)面相互接觸的P柱(4)和N柱(5)構(gòu)成的超結(jié)結(jié)構(gòu)，且所述P柱(4)位于所述N柱(5)兩側(cè)；

所述N型載流子存儲區(qū)(6)的頂層兩側(cè)具有P型體區(qū)(7)，兩個所述P型體區(qū)(7)之間的所述N型載流子存儲區(qū)(6)的頂層具有P型環(huán)區(qū)(10)，所述P型體區(qū)(7)和所述P型環(huán)區(qū)(10)之間由所述N型載流子存儲區(qū)(6)隔離；所述P型體區(qū)(7)的頂層具有N+型發(fā)射區(qū)(8)；

所述N+型發(fā)射區(qū)(8)的第一部分、所述P型體區(qū)(7)的第一部分、所述P型環(huán)區(qū)(10)的第一部分和所述N型載流子存儲區(qū)(6)上具有柵介質(zhì)(11)，所述柵電極(9)位于所述柵介質(zhì)(11)中；所述N+型發(fā)射區(qū)(8)的第二部分、所述P型體區(qū)(7)的第二部分、所述P型環(huán)區(qū)(10)的第二部分和所述柵介質(zhì)(11)上具有金屬發(fā)射極(12)，所述柵電極(9)與所述金屬發(fā)射極(12)和所述N型載流子存儲區(qū)(6)之間通過柵介質(zhì)(11)隔離，兩個所述柵介質(zhì)(11)通過所述金屬發(fā)射極(12)隔離；所述金屬發(fā)射極(12)與所述P型體區(qū)(7)和所述N+型發(fā)射區(qū)(8)之間形成歐姆接觸，所述金屬發(fā)射極(12)與P型環(huán)區(qū)(10)之間形成肖特基接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有肖特基接觸的平面柵SJ IGBT器件，其特征在于，所述柵電極(9)所用的材料為多晶硅或金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有肖特基接觸的平面柵SJ IGBT器件，其特征在于，器件所用半導(dǎo)體材料為單晶硅、碳化硅或者氮化鎵。