[發(fā)明專利]離子偏轉裝置與質譜儀

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210749392.6
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN114944323A
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設計）人: 李家保;鐘杰婷;許春華;黃清;謝芹惠;李昊;李絢;譚國斌
• 申請（專利權）人: 廣州禾信儀器股份有限公司
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;H01J49/26
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧丹

1.一種離子偏轉裝置，其特征在于，包括入口電極組、偏轉電極組與出口電極，所述偏轉電極組構成弧形傳輸通道，所述入口電極組上設置有離子引入孔，所述離子引入孔位于所述弧形傳輸通道的入口處，所述出口電極上設置離子引出孔，所述離子引出孔位于所述弧形傳輸通道的出口處；

所述入口電極組、所述偏轉電極組與所述出口電極上均施加有電壓，在所述弧形傳輸通道中形成偏轉電場，將待測離子束從上一級環(huán)境通過所述離子引入孔引入所述弧形傳輸通道，并對所述待測離子束的運動方向進行偏轉，使所述待測離子束從所述離子引出孔傳輸至下一級環(huán)境。

2.根據(jù)權利要求1所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述偏轉電場用于將所述待測離子束的運動方向在所述弧形傳輸通道中偏轉90度。

3.根據(jù)權利要求2所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述偏轉電極組包括主弧形電極、第一斜邊弧形電極與第二斜邊弧形電極，所述主弧形電極、所述第一斜邊弧形電極與所述第二斜邊弧形電極的弧邊面相對設置構成所述弧形傳輸通道，所述主弧形電極的與所述第一斜邊弧形電極之間的間隙作為所述弧形傳輸通道的入口，所述主弧形電極的與所述第二斜邊弧形電極之間的間隙作為所述弧形傳輸通道的出口。

4.根據(jù)權利要求3所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述主弧形電極、所述第一斜邊弧形電極與所述第二斜邊弧形電極均是橫截面為扇形的柱體，所述主弧形電極的橫截面為1/4圓弧，所述第一斜邊弧形電極與所述第二斜邊弧形電極的橫截面均為1/8圓弧，所述第一斜邊弧形電極與所述第二斜邊弧形電極至所述主弧形電極的距離相等。

5.根據(jù)權利要求3所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述偏轉電極組還包括推斥電極板，所述第一斜邊弧形電極與所述第二斜邊弧形電極設置于所述推斥電極板同一側的相對兩端。

6.根據(jù)權利要求4所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述入口電極組所施加的電壓為正極性電壓，所述第一斜邊弧形電極、所述第二斜邊弧形電極與所述推斥電極板所施加的電壓為正極性電壓，所述主弧形電極所施加的電壓為負極性電壓，所述出口電極所施加的電壓為負極性電壓，且所述出口電極所施加的電壓小于所述主弧形電極所施加的電壓。

7.根據(jù)權利要求1所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述入口電極組包括聚焦電極板與至少一個的加速電極板，所述聚焦電極與各所述加速電極板沿所述待測離子束從上一級環(huán)境至所述弧形傳輸通道的入射方向依次設置。

8.根據(jù)權利要求7所述的離子偏轉裝置，其特征在于，所述加速電極板的數(shù)量為兩個以上，各所述加速電極板上所施加的電壓隨所述待測離子束從上一級環(huán)境至所述弧形傳輸通道的入射方向逐漸減小，且均小于所述聚焦電極板所施加的電壓。

9.根據(jù)權利要求1至8任意一項所述的離子偏轉裝置，其特征在于，還包括第一壓縮電極板和第二壓縮電極板，所述第一壓縮電極板和所述第二壓縮電極板相對設置，所述偏轉電極組位于所述第一壓縮電極板和所述第二壓縮電極板之間。

10.一種質譜儀，其特征在于，包括離子產(chǎn)生裝置、離子接口裝置質量分析裝置以及權利要求1至9任意一項所述的離子偏轉裝置，所述離子產(chǎn)生裝置用于生成待測離子束，所述待測離子束依次經(jīng)過所述離子接口裝置與所述離子偏轉裝置后，進入所述質量分析裝置完成質量分析。