[發明專利]一種電阻漿料及片式電阻器

在審

• 申請號: 202210747492.5
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN115036054A
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 邱基華;王世泓
• 申請（專利權）人: 潮州三環（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;H01B1/14;H01B1/20;H01C17/065;H01C7/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 林德強

本發明公開了一種電阻漿料及片式電阻器。一種電阻漿料，成分包括導電相、銅的氧化物和MnO₂，導電相為釕的化合物中的至少一種，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.2≤銅的氧化物/MnO₂≤4.3。本發明的電阻漿料，通過銅的氧化物和MnO₂對導電相進行摻雜，銅的氧化物的摻雜可以使制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值增大，而MnO₂的摻雜可以使制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值減小。當銅的氧化物/MnO₂的質量比值在0.2?4.3時，兩者摻雜起到合適的協同作用，使制備的片式電阻器具有優異的靜電性能，在5KV靜電正負各3次沖擊后的阻值變化率的絕對值不超過5％。

技術領域

本發明屬于電子漿料領域，具體涉及一種電阻漿料及片式電阻器。

背景技術

片式電阻器作為重要的電子元器件被廣泛用于厚膜電路、混合集成電路、電子設備等領域中。片式電阻器在一些特定場景使用過程中會受到高壓靜電沖擊，導致其阻值發生變化，且靜電沖擊的電壓越高，阻值的變化越大，當阻值變化率超過一定范圍時，片式電阻器將會失效。通常以靜電性能來表征片式電阻器的耐靜電沖擊能力，靜電性能越好，其受高壓靜電沖擊后的阻值變化率越小。

片式電阻器的靜電性能主要取決于其中的電阻層，電阻層是由電阻漿料印刷在絕緣基板上并進行燒結后形成的；其中，電阻漿料中的導電相含量越高，制備的片式電阻器的靜電性能越好，然而導電相含量的提高一方面限制了電阻漿料的寬阻值范圍的應用(尤其在高阻段的應用)，另一方面也極大提高了成本，因此，需要尋找合適的電阻漿料配方體系，在兼顧寬阻值應用范圍和低成本的情況下，提高制備的片式電阻器的靜電性能，從而使其適用于耐靜電沖擊能力要求高的應用中。

發明內容

為了克服現有片式電阻器存在耐靜電沖擊能力差的問題，本發明目的之一在于提供一種電阻漿料，本發明目的之二在于提供這種電阻漿料的制備方法，本發明的目的之三在于提供一種片式電阻器。

為了實現上述目的，本發明所采取的技術方案是：

本發明第一方面提供了一種電阻漿料，電阻漿料的成分包括導電相、銅的氧化物和MnO₂，導電相為釕的化合物中的至少一種，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.2≤銅的氧化物/MnO₂≤4.3；銅的氧化物為CuO和Cu₂O中的至少一種。

電阻漿料中的銅的氧化物和MnO₂可以對釕系導電材料(如RuO₂)進行摻雜，銅的氧化物的摻雜可以使制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值增大，而MnO₂的摻雜可以使制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值減小。當銅的氧化物/MnO₂的質量比值在0.2-4.3時，兩者摻雜起到合適的協同作用，使制備的片式電阻器具有優異的靜電性能；當銅的氧化物/MnO₂的質量比值＜0.2時，制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值降低過大，靜電性能差；當銅的氧化物/MnO₂的質量比值＞4.3時，制備的片式電阻器在靜電沖擊后阻值增加過大，靜電性能差。

其中，銅的氧化物/MnO₂的質量比可通過X射線熒光光譜分析儀(XRF)方法測試得到。

優選的，這種電阻漿料，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.3≤銅的氧化物/MnO₂≤3.2；進一步優選的，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.4≤銅的氧化物/MnO₂≤2；再進一步優選的，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.45≤銅的氧化物/MnO₂≤1.2；再進一步優選的，銅的氧化物和MnO₂的質量比滿足0.5≤銅的氧化物/MnO₂≤0.7。