[發明專利]質子交換膜導電率測量方法、裝置、設備、介質和產品

在審

• 申請號: 202210746980.4
• 申請日: 2022-06-29
• 公開（公告）號: CN115047251A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 郭建偉;王建龍
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 朱五云

1.一種質子交換膜導電率測量方法，其特征在于，所述方法包括：

通過鉑網電極獲取質子交換膜透膜方向的測量電壓；所述鉑網電極分別與所述質子交換膜兩側的表面接觸；

根據所述測量電壓和預先獲取到的頻率響應曲線，確定所述質子交換膜透膜方向的導電率。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鉑網電極的面積為0.03cm²-0.3cm²；所述鉑網電極的厚度為1mm-8mm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述測量電壓和預先獲取到的頻率響應曲線，確定所述質子交換膜透膜方向的導電率，包括：

根據所述頻率響應曲線確定所述質子交換膜的特征頻率；

根據所述質子交換膜的特征頻率和所述測量電壓，確定目標電壓；

根據所述目標電壓確定所述質子交換膜透膜方向的導電率。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述目標電壓確定所述質子交換膜透膜方向的導電率，包括：

根據所述目標電壓和電化學儀器施加的測試電流，確定所述質子交換膜的電阻；所述測試電流為變頻交流電流；

根據所述電阻和預設的映射關系確定所述質子交換膜透膜方向的導電率。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述映射關系包括：

其中，σ為所述質子交換膜的導電率；R為所述質子交換膜的電阻；d為所述質子交換膜的厚度；S為所述質子交換膜的面積。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述頻率響應曲線確定所述質子交換膜的特征頻率，包括：

將所述頻率響應曲線與頻率軸的交點對應的頻率確定為所述質子交換膜的特征頻率。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取質子交換膜透膜方向的測量電壓，包括：

在電化學儀器施加電流的過程中，獲取在預設溶液中的質子交換膜透膜方向的測量電壓。

8.一種質子交換膜導電率測量裝置，其特征在于，所述裝置包括：

獲取模塊，用于通過鉑網電極獲取質子交換膜透膜方向的測量電壓；所述鉑網電極分別與所述質子交換膜兩側的表面接觸；

確定模塊，用于根據所述測量電壓和預先獲取到的頻率響應曲線，確定所述質子交換膜透膜方向的導電率。

9.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至7中任一項所述的方法的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7中任一項所述的方法的步驟。

11.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7中任一項所述的方法的步驟。