[發明專利]圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法

在審

• 申請號: 202210746249.1
• 申請日: 2022-06-27
• 公開（公告）號: CN115084178A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 羅呼學;劉敏;張棟;范曉
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半導體結構，包括襯底及形成于所述襯底表面的第一柵氧化層，其中，所述襯底通過隔離結構定義出邏輯器件區和像素器件區，且所述邏輯器件區包括第一輸入輸出區，所述像素器件區包括源跟隨晶體管區；

去除所述源跟隨晶體管區的所述第一柵氧化層以漏出其所對應的所述襯底，并于漏出的所述襯底的表面形成所述第二柵氧化層；

去除所述第一輸入輸出區的所述第一柵氧化層以漏出其所對應的所述襯底，并于漏出的所述襯底的表面形成第三柵氧化層；

其中，所述第一柵氧化層的厚度大于所述第二柵氧化層及所述第三柵氧化層的厚度。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，利用爐管工藝形成所述第一柵氧化層。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，利用ISSG工藝形成所述第二柵氧化層及所述第三柵氧化層。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，所述ISSG工藝的預設溫度不超過1000℃。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，于所述源跟隨晶體管區漏出的所述襯底的表面形成所述第二柵氧化層時，同時于未被去除的所述第一柵氧化層的表面形成所述第二柵氧化層。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，去除所述第一輸入輸出區的所述第一柵氧化層以漏出其所對應的所述襯底之前，所述方法包括去除形成于所述第一輸入輸出區的所述第一柵氧化層表面的所述第二柵氧化層的步驟。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，于所述第一輸入輸出區漏出的所述襯底的表面形成第三柵氧化層時，同時于未被去除的所述第二柵氧化層的表面形成所述第三柵氧化層。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，通過利用濕法刻蝕工藝以去除所述源跟隨晶體管區的所述第一柵氧化層及所述第一輸入輸出區的所述第一柵氧化層。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，所述邏輯器件區還包括第二輸入輸出區。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器的柵氧化層結構的制備方法，其特征在于，所述像素器件區還包括轉移晶體管區、復位晶體管區及選擇晶體管。