[發明專利]一種電阻的測量方法在審
| 申請號: | 202210744393.1 | 申請日: | 2022-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN115166363A | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | 謝金磊;劉曉明 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01R27/02 | 分類號: | G01R27/02;G01R27/08 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人: | 鐘玉敏 |
| 地址: | 201314*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電阻 測量方法 | ||
1.一種電阻的測量方法,其特征在于,包括:
提供待測電阻,所述待測電阻具有相對的第一檢測點和第二檢測點;
利用檢測設備執行第一檢測過程,包括:對待測電阻施加由第一檢測點至第二檢測點的第一電流,并利用所述檢測設備的第一測試端口和第二測試端口獲取對應的第一電壓值;
利用檢測設備執行第二檢測過程,包括:對待測電阻施加由第二檢測點至第一檢測點的第二電流,并利用所述檢測設備的第一測試端口和第二測試端口獲取對應的第二電壓值,所述第一電流和所述第二電流具有相同的電流值;以及,
根據第一電流、第一電壓值、第二電流和第二電壓值得到第一檢測過程和第二檢測過程的電阻平均值,以獲得所述待測電阻的電阻值。
2.如權利要求1所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述檢測設備還包括第三測試端口和第四測試端口,所述第三測試端口和所述第四測試端口用于形成電流激勵回路,以向所述待測電阻施加電流。
3.如權利要求2所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述第三測試端口為電流源,所述第四測試端口為接地端;在執行第一檢測過程時,所述第三測試端口連接所述第一檢測點,所述第四測試端口連接所述第二檢測點;在執行第二檢測過程時,所述第四測試端口連接所述第一檢測點,所述第三測試端口連接所述第二檢測點。
4.如權利要求2所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述第一測試端口、所述第二測試端口、所述第三測試端口和所述第四測試端口均為探針。
5.如權利要求1所述的電阻的測量方法,其特征在于,未開始檢測時,所述第一測試端口和所述第二測試端口的電位不同。
6.如權利要求5所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述第一測試端口和所述第二測試端口中,其中一個連接所述第一檢測點用于測量所述第一檢測點處的電位值,另一個連接所述第二檢測點用于測量所述第二檢測點處的電位值。
7.如權利要求1所述的電阻的測量方法,其特征在于,采用開爾文接線法連接所述檢測設備的測試端口和所述待測電阻。
8.如權利要求1所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述待測電阻為毫歐姆級電阻,所述毫歐姆級電阻的電阻值小于500毫歐姆。
9.如權利要求1所述的電阻的測量方法,其特征在于,獲得所述待測電阻的電阻值的方法包括:根據所述第一電流、所述第一電壓值得到第一電阻值;根據所述第二電流和所述第二電壓值得到第二電阻值;計算所述第一電阻值和所述第二電阻值得到電阻平均值以獲得所述待測電阻的電阻值。
10.如權利要求9所述的電阻的測量方法,其特征在于,所述待測電阻的電阻值的計算公式為:
R=1/2*[(V1+ΔV)-V2]/I1+[V4-(V3+ΔV)]/I1],
其中,I1表示所述第一電流或所述第二電流的電流值,V1和V2分別表示施加第一電流時所述第一檢測點和所述第二檢測點的電位值,V3和V4分別表示施加第二電流時所述第一檢測點和所述第二檢測點的電位值,ΔV表示所述檢測設備中所述第一測試端口和所述第二測試端口之間的電位差。
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