[發(fā)明專利]復(fù)合材料墊片及其制備方法和應(yīng)用、電子器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210740343.6 | 申請日： | 2022-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN114891353A | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何新波;張碩;陳藝瑋;張濤;譚小樁 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京科技大學廣州新材料研究院 |
| 主分類號： | C08L83/07 | 分類號： | C08L83/07;C08L83/04;C08K9/06;C08K7/00;C08K3/18;C08K7/26;C08K3/34;C08K5/14;C08K3/08;C08K3/02 |
| 代理公司： | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 510300 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合材料 墊片 及其 制備 方法 應(yīng)用 電子器件 | ||
1.一種復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
采用硅烷偶聯(lián)劑分別對片狀磁性吸波劑和導(dǎo)熱填料進行表面改性，制得改性片狀磁性吸波劑和改性導(dǎo)熱填料；
將所述改性片狀磁性吸波劑、所述改性導(dǎo)熱填料與結(jié)構(gòu)控制劑、硫化劑和硅橡膠基體混合，制得混煉膠；
對所述混煉膠沿水平方向制片成型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，采用的各物料的重量份數(shù)分別為：硅橡膠基體100份、片狀磁性吸波劑200～1000份、導(dǎo)熱填料30～400份、結(jié)構(gòu)控制劑0.5～10份、硫化劑0.5～2份；其中，所述片狀磁性吸波劑和所述導(dǎo)熱填料的重量份數(shù)之和≥400份；
所述硅烷偶聯(lián)劑與所述片狀磁性吸波劑的質(zhì)量比為(0.1～1.5):100；和/或所述硅烷偶聯(lián)劑與所述導(dǎo)熱填料的質(zhì)量比為(0.1～1.5):100。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，所述片狀磁性吸波劑包括片狀羰基鐵和片狀FeSiAl粉體中的一種或多種；所述片狀磁性吸波劑的片徑為2～50μm，厚度為10～3000nm；
和/或，所述導(dǎo)熱填料包括碳化硅；所述導(dǎo)熱填料的粒徑為1～80μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，所述制片成型采用開煉機制片，在進行開煉機制片時，包括如下條件中的至少一項：
(1)輥筒轉(zhuǎn)速為5～35rpm；
(2)輥筒溫度為30～45℃；
(3)輥筒間距為0.5～2mm；
或，所述制片成型采用壓延成片，在進行壓延成片時，包括如下條件中的至少一項：
(1)采用3輥或4輥壓延機；
(2)輥筒排列采用I型、S型或Γ型排列方式；
(3)輥筒溫度為40～60℃；
(4)壓延機速比為1.1～1.3；
(5)輥筒間距為0.2～2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，制備混煉膠時，還加入補強劑；
所述補強劑包括如下條件中的至少一項：
(1)以100份硅橡膠基體計，所述補強劑的重量份數(shù)為5～30份；
(2)所述補強劑包括氣相白炭黑和沉淀白炭黑中的一種或多種；
和/或，還包括：裁剪開煉機制片或壓延成片得到的膠片并進行模壓硫化成型；
進行模壓硫化成型時，包括如下條件中的至少一項：
(1)模壓溫度為150～180℃；
(2)模壓壓力為10～20MPa；
(3)模壓時間為5～30min；
和/或，采用硅烷偶聯(lián)劑對片狀磁性吸波劑或?qū)崽盍线M行表面改性時，包括如下條件中的至少一項：
(1)改性溫度為50～150℃；
(2)改性時間為20～120min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的復(fù)合材料墊片的制備方法，其特征在于，所述硅橡膠基體包括甲基乙烯基硅橡膠、二甲基硅橡膠和甲基乙烯基苯基硅橡膠中的一種或多種；和/或所述結(jié)構(gòu)控制劑包括羥基硅油和二苯基硅二醇中的一種或多種；和/或所述硫化劑包括2，5-二甲基-2，5-雙(叔丁基過氧基)己烷、2,4-二氯過氧化苯甲酰、過氧化二叔丁基和過氧化二異丙苯中的一種或多種；和/或所述硅烷偶聯(lián)劑包括γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的一種或多種。
7.一種復(fù)合材料墊片，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～6中任一項所述的復(fù)合材料墊片的制備方法制得。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合材料墊片，其特征在于，所述復(fù)合材料墊片的導(dǎo)熱系數(shù)為1～5W/(m·K)，吸波率≥50％，厚度為0.5～5mm。
9.如權(quán)利要求7或8所述的復(fù)合材料墊片在制備電子器件中的應(yīng)用。
10.一種電子器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求7或8所述的復(fù)合材料墊片。
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