[發明專利]OLED顯示面板在審
| 申請號: | 202210735241.5 | 申請日: | 2022-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN114944418A | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 劉亞;其他發明人請求不公開姓名 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板,該OLED顯示面板包括陣列基板,陣列基板內設置有驅動晶體管,驅動晶體管之上設置有與驅動晶體管電連接的第一發光器件、以及與第一發光器件電連接的第二發光器件;其中,在顯示面板的出光方向上,第一發光器件與第二發光器件垂直排布;本發明通過對單個像素制備串聯的兩個OLED發光器件結構,以提高發光器件發光壽命,解決現有OLED面板的發光壽命較短的問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體地,涉及一種OLED顯示面板。
背景技術
隨著顯示行業的不斷發展,OLED顯示面板因具有自發光、高對比度、廣視角,快速響應,更輕薄等優點,被認為是下一代的顯示新型應用技術,特別是在高端顯示領域,具有很廣的應用市場和發展前景,廣泛地應用于智能手機、平板電腦、全彩電視等。
由于OLED發光器件屬于電流型有機發光器件,但OLED顯示器件的壽命較短,其中紅光壽命高達16萬小時,綠光壽命為6萬小時,藍光效率僅為8.7cd/A,壽命僅有2.3萬小時,傳統的LCD屏幕的使用壽命在4萬至6萬小時,所以OLED面板發光壽命相較于LCD屏幕的壽命短,需要提出一種新的OLED顯示面板,亟需解決的OLED顯示面板的發光壽命短的難題。
發明內容
本申請依據現有技術問題,提供一種OLED顯示面板,能夠解決現有技術中的OLED顯示面板的發光壽命短的難題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明實施例提供一種OLED顯示面板,該OLED顯示面板包括陣列基板,所述陣列基板內設置有驅動晶體管,所述驅動晶體管之上設置有與所述驅動晶體管電連接的發光器件;其中,同一所述驅動晶體管電性連接至少兩個所述發光器件,且在所述顯示面板的厚度方向上,兩個所述發光器件對位設置。
根據本發明一可選實施例,所述驅動晶體管包括襯底、位于所述襯底之上的遮光層、覆蓋所述遮光層的緩沖層、位于所述緩沖層之上的有源層、位于所述有源層之上的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層之上的柵極、覆蓋所述柵極的層間絕緣層、位于所述層間絕緣層之上的源極和漏極、覆蓋所述源極和所述漏極的鈍化層、以及位于所述鈍化層之上的平坦化層;其中,所述漏極通過信號過孔與所述遮光層電性連接。
根據本發明一可選實施例,所述驅動晶體管之上設置有第一發光器件,所述第一發光器件包括位于所述平坦化層之上的第一陽極、位于所述第一陽極之上的第一空穴注入層和第一空穴傳輸層、位于所述第一空穴注入層和所述第一空穴傳輸層之上的第一發光材料層、位于所述第一發光材料層之上的第一電子傳輸層和第一電子注入層、以及位于所述第一電子傳輸層和所述第一電子注入層之上的第一陰極層;所述第一陽極通過第一陽極過孔與所述漏極電性連接。
根據本發明一可選實施例,所述第一發光器件之上設置有第二發光器件,所述第二發光器件包括位于所述第一陰極層之上的第二陽極、位于所述第二陽極之上的第二空穴注入層和第二空穴傳輸層、位于所述第二空穴注入層和所述第二空穴傳輸層之上的第二發光材料層、位于所述第二發光材料層之上的第二電子傳輸層和第二電子注入層、以及位于所述第二電子傳輸層和所述第二電子注入層之上的第二陰極層;其中,所述第二陽極通過第二陽極過孔與所述第一陽極電性連接,所述第二陰極層通過第二陰極過孔與所述第一陰極層電性連接。
根據本發明一可選實施例,所述第一陰極層和所述第二陽極之間還設置有第一封裝層。
根據本發明一可選實施例,所述第二陰極層遠離所述第二陽極的一側還設置有第二封裝層。
根據本發明一可選實施例,所述有源層的材料為低溫多晶硅材料或金屬氧化物半導體材料中的其中一種半導體材料。
根據本發明一可選實施例,所述第一發光材料層和所述第二發光材料層中的紅色/綠色/藍色發光材料層對位設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





