[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210731283.1
• 申請(qǐng)日: 2022-06-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115117256A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王學(xué)雷;張曉暉;鎖真陽(yáng);邵君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫極電光能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/48
• 分類號(hào): H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;C23C14/06;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 王娜

1.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，采用離子輔助沉積技術(shù)形成電子傳輸層；其中，由靶材中心至基片中心的方向與離子束的發(fā)射方向形成的夾角大于等于90°且小于180°，所述靶材為硫化物或硒化物中的至少一種，所述靶材的導(dǎo)帶底低于鈣鈦礦層的導(dǎo)帶底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，由所述靶材中心至所述基片中心的方向垂直于所述離子束的發(fā)射方向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的沉積速率為

優(yōu)選的，所述電子傳輸層的厚度為2nm-25nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在沉積所述電子傳輸層的過(guò)程中，離子源通入工作氣體的流量為10sccm-100sccm；離子源的工作電壓為100V-2000V，離子源的工作電流為0.1A-2A；

優(yōu)選的，所述工作氣體為惰性氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，由所述靶材形成氣態(tài)的待沉積物的工藝包括磁控濺射工藝、熱蒸發(fā)沉積工藝和電子束蒸鍍工藝；

優(yōu)選的，采用熱蒸發(fā)沉積工藝形成氣態(tài)的待沉積物的工藝參數(shù)包括：靶材的電流為0.1A-10A，所述靶材的電壓為200V-300V。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在沉積所述電子傳輸層的過(guò)程中，沉積腔室的氣氛為惰性氣氛。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池為反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述硫化物包括Bi₂S₃、In₂S₃、TiS₂、SnS₂；所述硒化物包括CdSe、ZnSe、In₂Se₃。

9.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，包括電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為N型的硫化物或硒化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池為反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。