[發明專利]異質結電池的加工方法

在審

• 申請號: 202210731242.2
• 申請日: 2022-06-24
• 公開（公告）號: CN115117183A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 夏益民;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 三一集團有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 鄭朝然

1.一種異質結電池的加工方法，其特征在于，包括：

在基底的工作面依次形成鈍化層和傳輸層；

在所述傳輸層的表面形成透明導電層；

在所述透明導電層的表面形成金屬種子層；

在所述金屬種子層的表面形成掩膜，所述掩膜為含硅無機化合物；

去除部分所述掩膜，露出部分所述金屬種子層，形成電極柵線圖形；

在所述電極柵線圖形處形成電極；

去除剩余的所述掩膜；

去除所述電極柵線圖形外的所述金屬種子層。

2.根據權利要求1所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述掩膜為SiNx、SiOx、SiC中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述掩膜的厚度為5納米-30微米。

4.根據權利要求1所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述去除剩余的所述掩膜，包括：

使用HF溶液去除剩余的所述掩膜。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，

所述在所述傳輸層的表面形成透明導電層，包括：通過PVD設備在所述傳輸層的表面沉積出透明導電層；

所述在所述透明導電層的表面形成金屬種子層，包括：通過同一臺所述PVD設備在所述透明導電層的表面沉積出金屬種子層；

所述在所述金屬種子層的表面形成掩膜，包括：通過同一臺所述PVD設備在所述金屬種子層的表面沉積出掩膜。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述去除所述電極柵線圖形外的所述金屬種子層，包括：

通過濕法腐蝕去除所述電極柵線圖形外的所述金屬種子層，且反應時間為10秒-1000秒。

7.根據權利要求6所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述濕法腐蝕采用的溶液為氫氧化鈉溶液、氨水/過氧化氫溶液、過硫酸銨溶液、三氯化鐵溶液、磷酸/硝酸溶液中的至少一種。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述金屬種子層為Cu、Sn、Ni、In、Ti、W、Cr、Co、Mo、Al中的至少一種，且厚度為5納米-200納米。

9.根據權利要求8所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述電極的材料與所述金屬種子層的材料相同。

10.根據權利要求8所述的異質結電池的加工方法，其特征在于，所述電極包括第一層和第二層，所述第一層位于所述金屬種子層與所述第二層之間，且所述第一層為Cu，所述第二層為Ag，所述金屬種子層為Ni。