[發明專利]一種用于單晶硅的制絨液及制絨方法有效
| 申請號: | 202210725214.X | 申請日: | 2022-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN115216301B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 顏志勇;胡英;王曉馨;于利超;易洪雷;張葵花;姚勇波;李喆 | 申請(專利權)人: | 嘉興學院 |
| 主分類號: | C09K13/02 | 分類號: | C09K13/02;C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 符繼超 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市經濟開*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 單晶硅 制絨液 方法 | ||
1.一種用于單晶硅的制絨液,其特征在于,所述制絨液由如下質量百分比含量的組份組成:
堿性物質1-3%,制絨添加劑0.3-2.5%,低共熔溶劑5-30%,余量為去離子水;
所述低共熔溶劑的制備方法為:
將(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨和尿素分別置于60℃真空干燥箱中干燥12h,按物質的量比為n(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨:n尿素=1:2混合攪拌,密封,然后在70℃-80℃油浴鍋中加熱,直至得到無色透明液體,即得到氯化膽堿-尿素低共熔溶劑;
其中,所述(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨可替換為正辛基三甲基氯化銨、十烷基三甲基氯化銨或(2-羥乙基)乙酰三甲基氯化銨;
相應地,所述正辛基三甲基氯化銨與尿素混合制備得到正辛基三甲基氯化銨-尿素低共熔溶劑;
所述十烷基三甲基氯化銨與尿素混合制備得到十烷基三甲基氯化銨-尿素低共熔溶劑;
所述(2-羥乙基)乙酰三甲基氯化銨與尿素混合制備得到(2-羥乙基)乙酰三甲基氯化銨-尿素低共熔溶劑。
2.根據權利要求1所述的一種用于單晶硅的制絨液,其特征在于,所述低共熔溶劑占所述制絨液的質量百分比為15-28%。
3.根據權利要求1所述的一種用于單晶硅的制絨液,其特征在于,所述堿性物質包括無機堿和有機堿;其中,
所述無機堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀,所述無機堿占所述制絨液的質量百分比為1-2%;
所述有機堿為聚乙烯亞胺,所述有機堿占所述制絨液的質量百分比為0.5-1%。
4.根據權利要求1所述的一種用于單晶硅的制絨液,其特征在于,所述制絨添加劑的組份組成,以質量百分比計為:水溶性高分子樹脂0.1-0.5%,消泡劑0.1-1%,緩沖劑0.01-0.1%;
其中,所述水溶性高分子樹脂為水溶性醇酸樹脂或水溶性丙烯酸樹脂,所述消泡劑為聚醚消泡劑或有機硅消泡劑,所述緩沖劑為乳酸鈉或碳酸氫鈉。
5.一種用于單晶硅的制絨方法,其特征在于,利用如權利要求1所述制絨液對單晶硅片進行制絨,具體方法如下:
(1)將堿性物質溶于水中配制成堿液,并將制絨添加劑、低共熔溶劑、水與堿性物質按質量比例混合均勻;
(2)將單晶硅片置于預處理液中浸泡處理后超聲、清洗,備用;
(3)將預處理后的單晶硅片浸入由步驟(1)制得的制絨液中進行表面制絨,制絨后的單晶硅片依次經水、無水乙醇清洗,各三次,得到絨面單晶硅硅片。
6.根據權利要求5所述的一種用于單晶硅的制絨方法,其特征在于,步驟(2)中,所述預處理液的組份組成,以質量百分比計為:硅酸鈉1-5%、曲拉通X-100聚乙二醇單辛基苯基醚0.5-2%、OP-10?1-3%,三聚磷酸鈉0.5-2%,聚醚消泡劑GP-330?1-3%,余量為水。
7.根據權利要求5或6所述的一種用于單晶硅的制絨方法,其特征在于,所述步驟(2)中的預處理溫度為50-60℃,超聲功率為60-100W,超聲時間為5-10min,并用無水乙醇清洗干凈。
8.根據權利要求5所述的一種用于單晶硅的制絨方法,其特征在于,所述步驟(3)中的制絨溫度為50-85℃,制絨時間為80-250s。
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