[發明專利]電容器及其制造方法

在審

• 申請號: 202210722000.7
• 申請日: 2022-06-17
• 公開（公告）號: CN115084103A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 劉彥;梁毅
• 申請（專利權）人: 江美半導體（廣州）有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L49/02
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電容器，其特征在于，所述電容器包括：

基底，所述基底中形成有溝槽；以及，

位于所述基底上的電容單元，所述電容單元包括第一導電層以及位于所述第一導電層上的N層電容層，所述第一導電層覆蓋所述溝槽內壁并延伸覆蓋所述基底表面，每層所述電容層包括層疊的一層介電層及一層第二導電層，所述N為大于1的自然數；

其中，所述電容單元具有相對的第一側和第二側，在所述電容單元的第一側，位于偶數層的所述第二導電層與位于其下一層奇數層的所述第二導電層的側壁對齊，并暴露出位于其下一層偶數層的所述第二導電層的部分上表面；和/或，在所述電容單元的第二側，位于奇數層的所述第二導電層與位于其下一層偶數層的所述第二導電層的側壁對齊，并暴露出位于其下一層奇數層的所述第二導電層的部分上表面。

2.如權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容器還包括第一保護結構和第二保護結構，所述第一保護結構覆蓋所述電容單元的第一側的至少一層所述第二導電層的側壁，所述第二保護結構覆蓋所述電容單元的第二側的至少一層所述第二導電層的側壁。

3.如權利要求2所述的電容器，其特征在于，所述電容器還包括至少一個第一接觸導電結構和至少一個第二接觸導電結構，在所述電容單元的第一側，位于偶數層的各所述第二導電層與不同的所述第一接觸導電結構連接，或者位于偶數層的至少部分數量的所述第二導電層與相同的所述第一接觸導電結構連接；在所述電容單元的第二側，位于奇數層的各所述第二導電層與不同的所述第二接觸導電結構連接，或者位于奇數層的至少部分數量的所述第二導電層與相同的所述第二接觸導電結構連接；所述第一導電層與所述第一接觸導電結構或者所述第二接觸導電結構連接。

4.如權利要求3所述的電容器，其特征在于，所述電容器還包括至少一層布線層，每層所述布線層包括至少一個第一布線結構和至少一個第二布線結構，所述第一接觸導電結構和所述第一布線結構連接，所述第二接觸導電結構和所述第二布線結構連接。

5.如權利要求4所述的電容器，其特征在于，所述電容器還包括至少一個第一引出電極和至少一個第二引出電極，頂層布線層中的所述第一布線結構和所述第一引出電極連接，頂層布線層中的所述第二布線結構和所述第二引出電極連接。

6.如權利要求5所述的電容器，其特征在于，所述電容器包括多個所述電容單元，在所有所述電容單元中，至少有一個所述第一引出電極或者所述第二引出電極僅與其中一個所述電容單元連接。

7.一種電容器的制造方法，其特征在于，所述電容器的制造方法包括：

提供基底，所述基底中形成有溝槽；

在所述基底上形成第一導電層，所述第一導電層覆蓋所述溝槽內壁并延伸覆蓋所述基底表面；

在所述第一導電層上依次形成N層電容層，每層所述電容層包括層疊的一層介電層及一層第二導電層，所述N為大于1的自然數；以及

利用光罩組合形成曝光區，并對所述曝光區中的所述N層電容層執行刻蝕工藝，以形成電容單元，所述電容單元具有相對的第一側和第二側，在所述電容單元的第一側，位于偶數層的所述第二導電層與位于其下一層奇數層的所述第二導電層的側壁對齊，并暴露出位于其下一層偶數層的所述第二導電層的部分上表面；和/或，在所述電容單元的第二側，位于奇數層的所述第二導電層與位于其下一層偶數層的所述第二導電層的側壁對齊，并暴露出位于其下一層奇數層的所述第二導電層的部分上表面。