[發(fā)明專利]一種EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210709200.9
• 申請(qǐng)日: 2022-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114995077A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭懷志;施維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州新銳光掩模科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F9/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F9/00;G03F1/22;G03F1/42;G03F1/44;G03F7/20
• 代理公司: 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11718
• 代理人: 鄭純;黃貞君

1.一種EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述方法包括：

制作具有第一量測(cè)圖形的EUV光掩模和具有第二量測(cè)圖形的DUV光掩模；

量測(cè)所述第一量測(cè)圖形和所述第二量測(cè)圖形的位置，計(jì)算兩者的位置偏差值A(chǔ)；

利用EUV光刻機(jī)通過(guò)制作的EUV光掩模對(duì)晶圓進(jìn)行第一層曝光；

利用DUV光刻機(jī)通過(guò)制作的DUV光掩模對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二層曝光；

量測(cè)所述第一層的圖形與所述第二層的圖形的位置偏差值B；

根據(jù)所述位置偏差值A(chǔ)和所述位置偏差值B計(jì)算光掩模的位置修正值C；

將所述位置修正值C利用光掩模光刻機(jī)的GMC功能補(bǔ)償?shù)紼UV光掩?；駾UV光掩模。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述第一量測(cè)圖形和所述第二量測(cè)圖形的中心點(diǎn)重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述第一量測(cè)圖形和所述第二量測(cè)圖形不重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述第一量測(cè)圖形和所述第二量測(cè)圖形均設(shè)置為多個(gè)，且各第一量測(cè)圖形與各所述第二量測(cè)圖形的位置相對(duì)設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述第一量測(cè)圖形和所述第二量測(cè)圖形在光掩模上均設(shè)置為均勻排布的陣列形式，所述陣列范圍大于光刻機(jī)掃描范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述位置修正值C的計(jì)算公式為：

C＝N*B-A，

式中，N為光掩模圖形到晶圓圖形的微縮倍數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述第一量測(cè)圖形/第二量測(cè)圖形的尺寸小于等于20μm，所述第一量測(cè)圖形/第二量測(cè)圖形的線寬范圍為0.5μm-3μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述制作具有第一量測(cè)圖形的EUV光掩模的步驟包括：

繪制第一量測(cè)圖形；

根據(jù)所述第一量測(cè)圖形利用光刻機(jī)對(duì)EUV光掩?；迤毓?；

曝光后進(jìn)行烘烤/顯影；

進(jìn)行硬掩膜層的刻蝕；

去除光刻膠，進(jìn)行釕層、多層鉬/硅層的刻蝕；

移除所述硬掩膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)間圖形位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述制作具有第二量測(cè)圖形的DUV光掩模的步驟包括：

繪制第二量測(cè)圖形；

根據(jù)所述第二量測(cè)圖形利用光刻機(jī)對(duì)DUV光掩?；迤毓?；

曝光后進(jìn)行烘烤/顯影；

進(jìn)行鉻層的刻蝕；

去除光刻膠，進(jìn)行硅化鉬層的刻蝕；

移除所述鉻層。