[發(fā)明專利]基板移送裝置以及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210707948.5 | 申請日: | 2022-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN115966495A | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李明振;金相吳;邊熙宰;李娜賢 | 申請(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 解媛媛 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 移送 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明提供包括非接觸式驅(qū)動部的基板移送裝置。所述基板移送裝置包括:定子組件,其包括驅(qū)動表面和電磁生成模塊;第一動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第一磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括第一傾斜面;第二動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第二磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括第二傾斜面;以及移送構(gòu)件,其配置在所述第一動子與所述第二動子之間,并根據(jù)所述第一動子與所述第二動子之間的距離沿著所述第一傾斜面以及所述第二傾斜面移動。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板移送裝置以及方法。
背景技術(shù)
當(dāng)制造半導(dǎo)體裝置或顯示裝置時(shí),實(shí)施光刻、刻蝕、灰化、離子注入、薄膜蒸鍍、清洗等各種工序。其中,光刻工藝包括涂布、曝光、以及顯影工藝。在基板上涂布感光液(即,涂布工藝),在形成有感光膜的基板上曝光出電路圖案(即,曝光工藝),并選擇性地對基板的經(jīng)過曝光處理的區(qū)域進(jìn)行顯影(即,顯影工藝)。
另一方面,為了使基板經(jīng)過上述的各種工藝,必須將基板移動到執(zhí)行各工藝的設(shè)備。移送機(jī)器人將基板從一個(gè)設(shè)備(例如,涂布設(shè)備)移送至另一個(gè)設(shè)備(例如,曝光設(shè)備)。然而,移送機(jī)器人包括接觸式驅(qū)動部,會產(chǎn)生微塵,難免受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
本發(fā)明要解決的課題為,提供包括非接觸式驅(qū)動部的基板移送裝置。
本發(fā)明要解決的另一課題為,提供利用包括非接觸式驅(qū)動部的基板移送裝置的基板移送方法。
本發(fā)明的課題不限于以上提及的課題,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)下面的描述清楚地理解未提及的其他課題。
課題的解決手段
用于解決上述課題的本發(fā)明基板移送裝置的一個(gè)方面(aspect)包括:定子組件,其包括驅(qū)動表面和電磁生成模塊;第一動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第一磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括第一傾斜面;第二動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第二磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括第二傾斜面;以及移送構(gòu)件,其配置在所述第一動子與所述第二動子之間,并根據(jù)所述第一動子與所述第二動子之間的距離沿第一傾斜面以及所述第二傾斜面移動。
用于解決上述課題的本發(fā)明的基板移送裝置的另一方面包括:定子組件,其包括驅(qū)動表面和電磁生成模塊;第一動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第一磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括彼此成銳角的第一底面和第一傾斜面;第二動子,其包括與所述電磁生成模塊相向的第二磁體模塊,并在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并且包括彼此成銳角的第二底面和第二傾斜面,所述第二傾斜面與所述第一傾斜面彼此面對;以及移送構(gòu)件,其配置在所述第一動子與所述第二動子之間,并根據(jù)所述第一動子與所述第二動子之間的距離沿所述第一傾斜面以及所述第二傾斜面移動,所述移送構(gòu)件包括與所述第一傾斜面相向的第一支承面和與所述第二傾斜面相向的第二支承面,所述第一動子包括設(shè)置在所述第一傾斜面內(nèi)的第一磁體構(gòu)件,所述移送構(gòu)件包括設(shè)置在所述第一支承面內(nèi)的第二磁體構(gòu)件,所述第二動子包括設(shè)置在所述第二傾斜面內(nèi)的第三磁體構(gòu)件,所述移送構(gòu)件包括設(shè)置在所述第二支承面內(nèi)的第四磁體構(gòu)件。
用于解決上述課題的本發(fā)明的基板移送方法的一個(gè)方面包括:提供基板移送裝置,所述基板移送裝置包括:第一動子,其在驅(qū)動表面上懸浮移動,并包括第一傾斜面;第二動子,其在所述驅(qū)動表面上懸浮移動,并包括第二傾斜面;以及移動構(gòu)件,其配置在所述第一動子與所述第二動子之間,并沿所述第一傾斜面以及所述第二傾斜面移動;使所述第一動子與第二動子之間的距離為第一距離,并使所述移送構(gòu)件的高度成為第一高度;使所述第一動子以及所述第二動子移動以相互遠(yuǎn)離的方式移動,以使所述第一動子與所述第二動子之間的距離成為第二距離,隨著所述第一動子以及第二動子移動,使所述移送構(gòu)件沿所述第一傾斜面以及所述第二傾斜面下降,以使所述移動構(gòu)件的高度成為第二高度。
其它實(shí)施例的具體事項(xiàng)包括在詳細(xì)說明和附圖中。
附圖說明
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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