[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210707512.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-06-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114975487A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡亮;劉斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底;
導(dǎo)電薄膜層,設(shè)置在所述襯底上;
第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層,所述第一遮光層、所述第二遮光層和所述第三遮光層均設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè),所述第一遮光層和所述第二遮光層在所述襯底的正投影區(qū)域位于所述導(dǎo)電薄膜層在所述襯底的正投影區(qū)域內(nèi),所述第一遮光層和所述第二遮光層均為導(dǎo)體材料;
陣列器件層,所述陣列器件層中的一個(gè)像素單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管,所述第一遮光層位于所述襯底與所述第一薄膜晶體管之間,所述第二遮光層位于所述襯底與所述第二薄膜晶體管之間,所述第三遮光層位于所述襯底與所述第三薄膜晶體管之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括第一平坦層,所述第一平坦層設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜層與所述第三遮光層之間,所述第三遮光層在所述襯底的正投影區(qū)域位于所述第一平坦層在所述襯底的正投影區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一平坦層分別與所述第一遮光層和所述第二遮光層在所述導(dǎo)電薄膜層上同層設(shè)置,所述第一遮光層、所述第二遮光層以及所述第一平坦層在所述襯底的正投影區(qū)域之和小于或等于所述導(dǎo)電薄膜層在所述襯底的正投影區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導(dǎo)電薄膜層在遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)設(shè)置有凹槽,所述第三遮光層在所述襯底的正投影區(qū)域位于所述凹槽在所述襯底的正投影區(qū)域內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述凹槽的深度小于所述導(dǎo)電薄膜層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導(dǎo)電薄膜層與位于所述陣列基板的外圍區(qū)的公共電壓輸入端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述導(dǎo)電薄膜層的材料為氧化銦錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述襯底基板還包括柵極絕緣層和第二平坦層,所述柵極絕緣層設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜層上,所述柵極絕緣層覆蓋所述第一遮光層、所述第二遮光層、所述第三遮光層以及所述第一平坦層,所述第二平坦層設(shè)置在所述柵極絕緣層上。
9.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一襯底;
在所述襯底上形成導(dǎo)電薄膜層;
在所述導(dǎo)電薄膜層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)形成第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層,其中,所述第一遮光層和所述第二遮光層在所述襯底的正投影區(qū)域位于所述導(dǎo)電薄膜層在所述襯底的正投影區(qū)域內(nèi),所述第一遮光層和所述第二遮光層均為導(dǎo)體材料;
在所述第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層上形成陣列器件層,所述陣列器件層中的一個(gè)像素單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管,所述第一遮光層位于所述襯底與所述第一薄膜晶體管之間,所述第二遮光層位于所述襯底與所述第二薄膜晶體管之間,所述第三遮光層位于所述襯底與所述第三薄膜晶體管之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述導(dǎo)電薄膜層上形成第一平坦層,其中,所述第一平坦層設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜層與所述第三遮光層之間,所述第三遮光層在所述襯底的正投影區(qū)域位于所述第一平坦層在所述襯底的正投影區(qū)域內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,在所述導(dǎo)電薄膜層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)形成第一遮光層、第二遮光層和第三遮光層之后,所述方法還包括:
在所述導(dǎo)電薄膜層上形成柵極絕緣層,其中,所述柵極絕緣層覆蓋所述第一遮光層、所述第二遮光層、所述第三遮光層以及所述第一平坦層;
在所述柵極絕緣層上形成第二平坦層。
12.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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