[發明專利]一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS2

在審

• 申請號: 202210706659.3
• 申請日: 2022-06-21
• 公開（公告）號: CN115287612A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 張平;孫含影;應普友;吳建波;黃敏;楊濤;林長紅;弗拉基米爾.列夫琴科
• 申請（專利權）人: 臺州學院;臺州學院溫嶺研究院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務所(普通合伙) 42001
• 代理人: 董路

1.一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復合涂層的裝置，包括真空腔體和樣品轉架，樣品轉架設置于真空腔體內，其特征在于：還包括主脈沖電源、從脈沖電源、WS₂靶材、Ti靶材和時序控制器，WS₂靶材和Ti靶材分別固定于真空腔體中，WS₂靶材和Ti靶材呈八字分布，WS₂靶材和Ti靶材分別正對樣品轉架；

主脈沖電源與Ti靶材電連接，從脈沖電源與WS₂靶材電連接，時序控制器分別與主脈沖電源和從脈沖電源電連接，時序控制器控制主脈沖電源和從脈沖電源的脈沖時序。

2.根據權利要求1所述的HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復合涂層的裝置，其特征在于：所述的時序控制器包括衰減器、D觸發器和延時器，主脈沖電源與衰減器連接，衰減器與D觸發器的觸發端連接，D觸發器的復位端接高電平，D觸發器的輸出端與延時器連接，延時器與從脈沖電源連接。

3.一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復合涂層的方法，其特征在于包括如下步驟：

3.1、將基體進行清洗后放置于真空腔體內的樣品轉架上，接著抽真空；

3.2、在室溫下，通入工作氣體至設定工作壓強，打開偏壓電源，設置偏壓為設定電壓，利用輝光等離子體對基體進行清洗；

3.3、設置偏壓為設定電壓，打開主脈沖電源，預先沉積100-200nm厚度的Ti膜作為打底層；

3.4、打開從脈沖電源，根據設置的雙靶脈沖時序進行雙靶共濺射，沉積WS₂-Ti復合涂層。