[發(fā)明專(zhuān)利]一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS2

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210706659.3
• 申請(qǐng)日: 2022-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115287612A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張平;孫含影;應(yīng)普友;吳建波;黃敏;楊濤;林長(zhǎng)紅;弗拉基米爾.列夫琴科
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)州學(xué)院;臺(tái)州學(xué)院溫嶺研究院
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 武漢宇晨專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 42001
• 代理人: 董路

1.一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復(fù)合涂層的裝置，包括真空腔體和樣品轉(zhuǎn)架，樣品轉(zhuǎn)架設(shè)置于真空腔體內(nèi)，其特征在于：還包括主脈沖電源、從脈沖電源、WS₂靶材、Ti靶材和時(shí)序控制器，WS₂靶材和Ti靶材分別固定于真空腔體中，WS₂靶材和Ti靶材呈八字分布，WS₂靶材和Ti靶材分別正對(duì)樣品轉(zhuǎn)架；

主脈沖電源與Ti靶材電連接，從脈沖電源與WS₂靶材電連接，時(shí)序控制器分別與主脈沖電源和從脈沖電源電連接，時(shí)序控制器控制主脈沖電源和從脈沖電源的脈沖時(shí)序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復(fù)合涂層的裝置，其特征在于：所述的時(shí)序控制器包括衰減器、D觸發(fā)器和延時(shí)器，主脈沖電源與衰減器連接，衰減器與D觸發(fā)器的觸發(fā)端連接，D觸發(fā)器的復(fù)位端接高電平，D觸發(fā)器的輸出端與延時(shí)器連接，延時(shí)器與從脈沖電源連接。

3.一種HiPIMS雙靶共濺射制備WS₂-Ti復(fù)合涂層的方法，其特征在于包括如下步驟：

3.1、將基體進(jìn)行清洗后放置于真空腔體內(nèi)的樣品轉(zhuǎn)架上，接著抽真空；

3.2、在室溫下，通入工作氣體至設(shè)定工作壓強(qiáng)，打開(kāi)偏壓電源，設(shè)置偏壓為設(shè)定電壓，利用輝光等離子體對(duì)基體進(jìn)行清洗；

3.3、設(shè)置偏壓為設(shè)定電壓，打開(kāi)主脈沖電源，預(yù)先沉積100-200nm厚度的Ti膜作為打底層；

3.4、打開(kāi)從脈沖電源，根據(jù)設(shè)置的雙靶脈沖時(shí)序進(jìn)行雙靶共濺射，沉積WS₂-Ti復(fù)合涂層。