[發(fā)明專利]一種金屬基光熱構(gòu)件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210705152.6
• 申請(qǐng)日: 2022-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN115094497B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐敬波;張海云;孫立東;趙凱岐;黃偉九
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué);重慶文理學(xué)院
• 主分類號(hào): C25D11/34
• 分類號(hào): C25D11/34;C25D21/12;F24S70/25
• 代理公司: 北京力量專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11504
• 代理人: 李俊穎

1.一種金屬基光熱構(gòu)件的制備方法，其特征在于，所述金屬為銅或銅合金，所述制備方法包括：

將所述金屬作為陽極在電解液中進(jìn)行陽極氧化，得到表面具有氧化銅的光熱元件；

所述陽極氧化的電壓為0.1V～20V，溫度為15℃～25℃；

所述電解液為MOH溶液，其中M為K、Na、Li、Rb、Cs或Fr中的一種；

所述陽極氧化的電流密度至少具有第一階段和第二階段，所述第一階段的電流密度為從3.5mA·cm^-2降至2mA·cm^-2，所述第一階段持續(xù)時(shí)間為150s～300s；

所述第二階段的電流密度為從2mA·cm^-2降至1mA·cm^-2，所述第二階段持續(xù)時(shí)間為50s～150s；

所述氧化銅為納米片狀結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層的厚度為0.5μm～5μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述陽極氧化之前還包括預(yù)處理，所述預(yù)處理為對(duì)所述金屬表面進(jìn)行打磨、拋光、清洗、干燥或封裝中的一種或多種；

在所述陽極氧化處理之后還包括后處理，所述后處理包括清洗、干燥或熱處理的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電解液的溶劑包括水、乙二醇或甘油的一種或多種任意比例的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電解液的濃度為0.1mol·L^-1～10mol·L^-1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述陽極氧化步驟中，所述電解液的流動(dòng)速度為0mL·min^-1～1000mL·min^-1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陽極氧化的時(shí)間為1min～360min。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬為管狀或片狀的構(gòu)件。

8.一種金屬基光熱構(gòu)件，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制造而得，在銅或其合金表面至少具有一層均勻的納米片狀氧化銅結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層的厚度為0.5μm～5μm。