[發(fā)明專利]一種新型神經(jīng)光電極

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210703859.3
• 申請(qǐng)日: 2022-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN114869288A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱兵兵;寧玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三序光學(xué)科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): A61B5/294
• 分類號(hào): A61B5/294;A61B5/291;A61B5/263;A61B5/377;A61B5/383
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 顧陽

1.一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，包括：

芯片，所述芯片用于垂直發(fā)射調(diào)制后的激光至電極結(jié)構(gòu)；

電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)的尖端遠(yuǎn)離芯片，電極結(jié)構(gòu)能夠同時(shí)進(jìn)行光信號(hào)和電信號(hào)的傳導(dǎo)；

所述芯片和電極結(jié)構(gòu)均使用柔硅襯底，通過耦合的方式進(jìn)行對(duì)接，并封裝于柔性材料內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)包括由若干根硅電極陣列排布形成的硅電極陣列，硅電極之間相互絕緣，所述芯片具有與硅電極陣列尺寸相匹配的垂直發(fā)射出光口陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，所述芯片內(nèi)置與電極結(jié)構(gòu)相適配的電極組，所述電極組的電極與電極結(jié)構(gòu)的電極一一對(duì)應(yīng)并適配，電極組的電極與相適配的電極結(jié)構(gòu)的電極背面相接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，所述芯片為PIC芯片，所述芯片的入光口處選擇性設(shè)置用于調(diào)整入光口處波導(dǎo)尺寸的光斑適配器。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，所述硅電極為高摻低阻柔性硅，所述硅電極外表面設(shè)置有絕緣層，所述硅電極的尖端裸露，尖端外圍部分設(shè)置有金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種新型神經(jīng)光電極，其特征在于，所述硅電極外表面選擇性設(shè)置用于降低生物組織排異、提高抗腐蝕能力的涂層。