[發(fā)明專利]基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210702270.1
• 申請(qǐng)日: 2022-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN115109522A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐梅生;肖輝亞;黃燦容;馬楠楠;李光;侯康生;韋蘇琳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市永霖科技有限公司
• 主分類號(hào): C09G1/02
• 分類號(hào): C09G1/02
• 代理公司: 北京棘龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11740
• 代理人: 劉傳勇

1.一種基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，所述拋光液制備方法包括如下步驟：

步驟S1：用PH為12的堿溶液處理質(zhì)量濃度為m1粒徑d1為碳化硅顆粒，并充分?jǐn)嚢韬箅x心；

步驟S2：使用質(zhì)量濃度為m2聚(氧乙烯)壬基苯基醚對(duì)離心后的碳化硅顆粒進(jìn)行改性，室溫下充分?jǐn)嚢枋蛊浠旌暇鶆颍?/p>

步驟S3：使用質(zhì)量濃度m3的聚碳硅烷處理，按照一定的升溫速率，并在恒定溫度T1攪拌速度r1連續(xù)攪拌t1小時(shí)；

步驟S4：將上述處理后的二氧化硅研磨顆粒分散在純水中，加入質(zhì)量濃度為m4的有機(jī)溶劑并調(diào)節(jié)PH值。

2.如權(quán)利要求1所述的基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于：所述質(zhì)量濃度m1為1-3wt％，粒徑d1為0.01-0.1μm。

3.如權(quán)利要求1所述的基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于：所述質(zhì)量濃度m2為2-5wt％，質(zhì)量濃度m3為0.5-1wt％，升溫速率為1-5℃/min，恒定溫度T1為200-300℃，攪拌速度r1為100-600rpm，t1為0.1-0.5h，質(zhì)量濃度m4為0.5-1.5wt％。

4.如權(quán)利要求1所述的基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于：所述聚碳硅烷碳硅比為1:1至1.2：1。

5.如權(quán)利要求1所述的基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于：所述拋光組合物的pH值優(yōu)選為7至13，更優(yōu)選為10至12；拋光組合物的pH值為10-12時(shí)，有利于表面光滑度提高。

6.如權(quán)利要求1所述的基于摩擦磨損機(jī)理的單晶SiC化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于：所述有機(jī)溶劑包括但不限于甲苯、環(huán)己烷。