[發明專利]自穩零運算放大器在審
| 申請號: | 202210698748.8 | 申請日: | 2022-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN114978054A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 白瑋;于翔;謝程益 | 申請(專利權)人: | 圣邦微電子(北京)股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F1/26;H03F3/38 |
| 代理公司: | 北京慧加倫知識產權代理有限公司 16035 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 100089 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 運算放大器 | ||
1.一種自穩零運算放大器,其特征在于,所述自穩零運算放大器包括:四個斬波器,兩個第一級放大器,第二級放大器,兩個調零放大器,四個存儲電容,六個開關,其中,通過對所述六個開關的開合設置,輸入信號交替性的通過第一個斬波器和第三個斬波器進行信號調制,通過第一個斬波器的輸入信號會通過第一個第一級放大器進行放大,放大后再通過第二個斬波器進行信號的解調,解調后再通過所述第二級放大器輸出,通過第三個斬波器的輸入信號會通過第二個第一級放大器進行放大,放大后再通過第四個斬波器進行信號的解調,解調后再通過所述第二級放大器輸出;所述輸入信號為低頻差分信號;
第一個調零放大器交替性的將所述第一個第一級放大器的失調電壓通過第一個存儲電容和第二個存儲電容進行存儲和抵消,第二個調零放大器交替性的將所述第二個第一級放大器的失調電壓通過第三個存儲電容和第四個存儲電容進行存儲和抵消;
所述第二個斬波器和所述第四個斬波器交替性的將所述自穩零運算放大器在自穩零采樣過程中的低頻混疊噪聲調制到斬波頻率處。
2.根據權利要求1所述的一種自穩零運算放大器,其特征在于,所述第一個斬波器的輸入端連接輸入信號,所述第一個斬波器的兩個輸出端分別連接所述第一個第一級放大器的正相輸入端和反相輸入端,所述第一個第一級放大器的正相輸出端依次連接所述第二個斬波器、第二個開關后與所述第一個調零放大器的正相輸入端連接,所述第一個第一級放大器的反相輸出端依次連接所述第二個斬波器、第三個開關后與所述第一個調零放大器的反相輸入端連接,所述第一個調零放大器的正相輸出端和反相輸出端分別反饋連接所述第一個第一級放大器的反相輸出端和正相輸出端,第一個開關的一端連接在所述第一個斬波器的一個輸出端與所述第一個第一級放大器的正相輸入端之間,所述第一個開關的另一端連接在所述第一個斬波器的另一個輸出端與所述第一個第一級放大器的反相輸入端之間,所述第一個存儲電容、所述第二個存儲電容的一端接地,所述第一個存儲電容的另一端連接在所述第二個開關和所述第一個調零放大器的正相輸入端之間,所述第二個存儲電容的另一端連接在所述第三個開關和所述第一個調零放大器的反相輸入端之間;
所述第三個斬波器的輸入端連接輸入信號,所述第三個斬波器的兩個輸出端分別連接所述第二個第一級放大器的正相輸入端和反相輸入端,所述第二個第一級放大器的正相輸出端依次連接所述第四個斬波器、第五個開關后與所述第二個調零放大器的正相輸入端連接,所述第二個第一級放大器的反相輸出端依次連接所述第四個斬波器、第六個開關后與所述第二個調零放大器的反相輸入端連接,所述第二個調零放大器的正相輸出端和反相輸出端分別反饋連接所述第二個第一級放大器的反相輸出端和正相輸出端,第四個開關的一端連接在所述第三個斬波器的一個輸出端與所述第二個第一級放大器的正相輸入端之間,所述第四個開關的另一端連接在所述第三個斬波器的另一個輸出端與所述第二個第一級放大器的反相輸入端之間,所述第三個存儲電容、所述第四個存儲電容的一端接地,所述第三個存儲電容的另一端連接在所述第五個開關和所述第二個調零放大器的正相輸入端之間,所述第四個存儲電容的另一端連接在所述第六個開關和所述第二個調零放大器的反相輸入端之間;
第二級放大器的輸出端為信號輸出端,所述第二級放大器的正相輸入端分別連接在所述第二個斬波器的一個輸出端與所述第二個開關之間、所述第四個斬波器的一個輸出端與所述第五個開關之間,所述第二級放大器的反相輸入端分別連接在所述第二個斬波器的另一個輸出端與所述第三個開關之間、所述第四個斬波器的另一個輸出端與所述第六個開關之間,所述第二級放大器的輸出端連接補償電容后反饋連接到所述第二級放大器的反相輸入端。
3.根據權利要求2所述的一種自穩零運算放大器,其特征在于,所述第一個開關、所述第二個開關、所述第三個開關的時鐘控制信號為第一時鐘信號,所述第四個開關、所述第五個開關、所述第六個開關的時鐘控制信號為第二時鐘信號,所述第一時鐘信號和所述第二時鐘信號為兩相不交疊的時鐘信號。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于圣邦微電子(北京)股份有限公司,未經圣邦微電子(北京)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210698748.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種磁元件抗飽和磁芯結構
- 下一篇:一種心包積液穿刺點位環心臟穿刺裝置及方法





