[發明專利]一種晶圓研磨拋光裝置及傳輸方法

在審

• 申請號: 202210698674.8
• 申請日: 2022-06-20
• 公開（公告）號: CN115132623A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 劉福強;尹影;李婷;史霄;李偉;舒福璋;周博倫
• 申請（專利權）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/463;B24B27/00;B24B41/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 柴美娟

本發明提供的一種晶圓研磨拋光裝置及傳輸方法，屬于晶圓制造技術領域，晶圓研磨拋光裝置包括：依次設置的拋光區、清洗區和儲存區；所述拋光區具有對稱設置的第一拋光區和第二拋光區；所述清洗區具有對稱設置的第一清洗區和第二清洗區；本發明的晶圓研磨拋光裝置，通過拋光區和清潔區的對稱設置，同時零部件具有100％替換性，既可以單側工作，亦可以雙側共同工作，大大提高了設備的穩定性和可靠性；進一步的，設置結構合理，傳輸方便，提高了晶圓的流轉效率，提高了拋光研磨裝置的產能，進而也提高了晶圓產品的產率。

技術領域

本發明涉及晶圓制造技術領域，具體涉及一種晶圓研磨拋光裝置及傳輸方法。

背景技術

化學機械平坦化技術是化學作用和機械作用相結合的技術。其工作原理是，首先工件表面材料與拋光液中的氧化劑等發生化學反應，生成一層相對容易去除的軟質層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除該軟質層，使工件表面重新裸露出來，隨后再進行化學反應，藉此在化學作用過程和機械作用過程的共同作用下完成工件表面研磨拋光過程。

研磨拋光過程是在研磨拋光裝置內部中進行，但是，由于研磨拋光裝置中，拋光工位和清洗工位設置位置及流轉方式的限制，降低了拋光研磨裝置的產能，進而也導致了晶圓產品產率的降低。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中的研磨拋光裝置中，拋光工位和清洗工位設置位置及流轉方式的限制，降低了拋光研磨裝置的產能，進而也導致了晶圓產品產率的降低的缺陷，從而提供一種晶圓研磨拋光裝置。

本發明還提供一種用于該晶圓研磨拋光裝置的傳輸方法。

為解決上述技術問題，本發明提供的一種晶圓研磨拋光裝置，包括依次設置的拋光區、清洗區和儲存區；

所述拋光區具有對稱設置的第一拋光區和第二拋光區；所述第一拋光區和第二拋光區內均具有至少一組拋光工作臺組、至少一組旋轉工作臺組和至少一組載片臺組；所述第一拋光區和所述第二拋光區之間設置有拋光機械手；

所述拋光工作臺組上設置有不同規格的研磨墊；

所述清洗區具有對稱設置的第一清洗區和第二清洗區；所述第一清洗區和所述第二清洗區均具有刷洗部和干燥部；所述第一清洗區和所述第二清洗區之間設置有清洗機械手；

所述儲存區靠近所述清洗區的一端設置有儲存機械手；

所述拋光區和所述清洗區之間設置有第一中轉機構；所述清洗區和所述儲存區之間設置有第二中轉機構。

作為優選方案，所述拋光工作臺組具有第一拋光工作臺和第二拋光工作臺；所述旋轉工作臺組具有第一旋轉工作臺和第二旋轉工作臺；所述載片臺組具有第一載片臺、第二載片臺和第三載片臺。

作為優選方案，所述第一中轉機構至少具有一組承載部；所述承載部具有自上而下分布設置的第一承載臺和第二承載臺；所述第一承載臺適于放置干晶圓；所述第二層適于放置濕晶圓。

作為優選方案，所述第二承載臺的邊緣設置有擋沿；所述第二承載臺上開設有漏液孔，所述漏液孔與液體收集容器連通。

作為優選方案，所述第一承載臺和所述第二承載臺上均設置有監測傳感器；所述監測傳感器用于監測晶圓的放置位置；

所述第二承載臺設置有至少兩組保濕噴淋機構，所述保濕噴淋機構適于設置在晶圓的上面和下面。

作為優選方案，所述清洗機械手包括：

底座；

第一手臂，可轉動的設置在所述底座上；

第二手臂，設置在所述第一手臂的上端；所述第二手臂可升降的設置在所述底座上。

作為優選方案，所述第二手臂與所述底座可伸縮的設置。